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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 41A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXKF40N60SCD1
仓库库存编号：
IXKF40N60SCD1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
FMD40-06KC
仓库库存编号：
FMD40-06KC-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 40A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 40A（Tc） 625W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL60N80P
仓库库存编号：
IXFL60N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 40A（Tc） 290W（Tc） SOT-227B
型号：
IXKN40N60C
仓库库存编号：
IXKN40N60C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK21N100
仓库库存编号：
IXTK21N100-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 22A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE24N100
仓库库存编号：
IXFE24N100-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN21N100
仓库库存编号：
IXTN21N100-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 21A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE23N100
仓库库存编号：
IXFE23N100-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N50Q2
仓库库存编号：
IXFN80N50Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 63A（Tc） 520W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F132N50P3
仓库库存编号：
MMIX1F132N50P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB38N100Q2
仓库库存编号：
IXFB38N100Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM83B1G
仓库库存编号：
APTC60AM83B1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
详细描述：Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 36A 250W Chassis Mount SP1
型号：
APTC60AM83BC1G
仓库库存编号：
APTC60AM83BC1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180P04P403ATMA1
仓库库存编号：
IPB180P04P403ATMA1-ND
别名：SP000840202
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
AUIRFSL4310
仓库库存编号：
AUIRFSL4310-ND
别名：Q10661606
SP001516116
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4310TRL
仓库库存编号：
AUIRFS4310TRL-ND
别名：SP001517534
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 19A（Tc） 350W（Tc） TO-247-3
型号：
STW18NK80Z
仓库库存编号：
497-4423-5-ND
别名：497-4423-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 22A（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
型号：
IXFF24N100
仓库库存编号：
IXFF24N100-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN38N100Q2
仓库库存编号：
IXFN38N100Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE806DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE806DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE806DF-T1-E3CT
SIE806DFT1E3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXUC160N075
仓库库存编号：
IXUC160N075-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE806DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE806DF-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N03-03P-E3
仓库库存编号：
SUM110N03-03P-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM110N04-03-E3
仓库库存编号：
SUM110N04-03-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N04-03-E3
仓库库存编号：
SUP85N04-03-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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