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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7135DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7135DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7135DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
型号：
ATP304-TL-H
仓库库存编号：
ATP304-TL-HOSCT-ND
别名：ATP304-TL-HOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5BT
仓库库存编号：
296-38335-1-ND
别名：296-38335-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB60N80P
仓库库存编号：
IXFB60N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 112A（Tc） 1500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN132N50P3
仓库库存编号：
IXFN132N50P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FB190SA10
仓库库存编号：
VS-FB190SA10-ND
别名：FB190SA10
FB190SA10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN60N80P
仓库库存编号：
IXFN60N80P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310PBF
仓库库存编号：
IRFB4310PBF-ND
别名：*IRFB4310PBF
SP001566592
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 132A（Tc） 1890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB132N50P3
仓库库存编号：
IXFB132N50P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 960W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB80N50Q2
仓库库存编号：
IXFB80N50Q2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名：IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
FCH47N60_F085
仓库库存编号：
FCH47N60_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247
型号：
FCH47N60F_F085
仓库库存编号：
FCH47N60F_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4310TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4310TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4310TRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB015N04N G
仓库库存编号：
IPB015N04N GCT-ND
别名：IPB015N04N GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1407PBF
仓库库存编号：
IRF1407PBF-ND
别名：*IRF1407PBF
SP001564238
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 380W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL38N100Q2
仓库库存编号：
IXFL38N100Q2-ND
别名：614235
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 63A（Tc） 520W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL132N50P3
仓库库存编号：
IXFL132N50P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB011N04NGATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1407STRLPBF
仓库库存编号：
IRF1407STRLPBFCT-ND
别名：IRF1407STRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5B
仓库库存编号：
CSD16570Q5B-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Ta） 108W（Tc） ATPAK
型号：
NVATS5A304PLZT4G
仓库库存编号：
NVATS5A304PLZT4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH230N10T
仓库库存编号：
IXFH230N10T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXKR40N60C
仓库库存编号：
IXKR40N60C-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 33A（Tc） 416W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK33N50
仓库库存编号：
IXTK33N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 250nC @ 10V,
无铅
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