规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10P50
仓库库存编号：
IXTH10P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N50
仓库库存编号：
IXFT24N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 10A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10P50
仓库库存编号：
IXTT10P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX20N120
仓库库存编号：
IXFX20N120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK20N120
仓库库存编号：
IXFK20N120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 20A（Tc） 780W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN20N120
仓库库存编号：
IXFN20N120-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L04ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L-04-ND
SP000396284
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80P03P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P03P4L04AKSA1-ND
别名：IPI80P03P4L-04
IPI80P03P4L-04-ND
SP000396318
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S403ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S403ATMA2-ND
别名：SP001028770
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF2807
仓库库存编号：
AUIRF2807-ND
别名：SP001522572
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP60NE06-16
仓库库存编号：
497-2770-5-ND
别名：497-2770-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV160NF02LT4
仓库库存编号：
497-3251-1-ND
别名：497-3251-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 210W（Tc） 10-PowerSO
型号：
STV160NF03LAT4
仓库库存编号：
STV160NF03LAT4-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB76NF80
仓库库存编号：
497-10566-1-ND
别名：497-10566-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP054
仓库库存编号：
IRFP054-ND
别名：*IRFP054
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 450V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP354
仓库库存编号：
IRFP354-ND
别名：*IRFP354
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
含铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 31A 1140W Chassis Mount 16-MTP
型号：
19MT050XF
仓库库存编号：
19MT050XF-ND
别名：*19MT050XF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 450V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP354PBF
仓库库存编号：
IRFP354PBF-ND
别名：*IRFP354PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 29A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT8024JLL
仓库库存编号：
APT8024JLL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 31A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT8024LLLG
仓库库存编号：
APT8024LLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA200N075T
仓库库存编号：
IXTA200N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA200N075T7
仓库库存编号：
IXTA200N075T7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH200N075T
仓库库存编号：
IXTH200N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 200A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP200N075T
仓库库存编号：
IXTP200N075T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55V 180A（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ180N055T
仓库库存编号：
IXTQ180N055T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 160nC @ 10V,
无铅
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