规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB17N50L
仓库库存编号：
IRFB17N50L-ND
别名：*IRFB17N50L
Q1082842
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 500V 16A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP17N50L
仓库库存编号：
IRFP17N50L-ND
别名：*IRFP17N50L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） TO-220AB
型号：
NTP75N06
仓库库存编号：
NTP75N06OS-ND
别名：NTP75N06OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） TO-220AB
型号：
NTP75N06G
仓库库存编号：
NTP75N06GOS-ND
别名：NTP75N06GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 18A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 150V 18A（Tc） 204W（Tc） TO-3P
型号：
SFH9154
仓库库存编号：
SFH9154-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 200V 48A（Tc） 280W（Tc） TO-3P
型号：
FQA48N20
仓库库存编号：
FQA48N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5411NT4G
仓库库存编号：
NTB5411NT4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5411NG
仓库库存编号：
NTP5411NG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Ta） 2.4W（Ta），214W（Tj） D2PAK
型号：
NTB75N06T4G
仓库库存编号：
NTB75N06T4GOSCT-ND
别名：NTB75N06T4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 40V 65A（Tc） 3.75W（Ta），120W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP65P04-15-E3
仓库库存编号：
SUP65P04-15-E3-ND
别名：SUP65P0415E3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP30N60E-E3-ND
别名：SIHP30N60EE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
型号：
BUK761R4-30E,118
仓库库存编号：
568-10169-1-ND
别名：568-10169-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述：通孔 N 沟道 600V 30A（Ta） 200W（Tc） TO-3P
型号：
RJL6020DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJL6020DPK-00#T0-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10.5A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT1001R1BN
仓库库存编号：
APT1001R1BN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT1001RBN
仓库库存编号：
APT1001RBN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT5025BN
仓库库存编号：
APT5025BN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT6040BN
仓库库存编号：
APT6040BN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT6040BNG
仓库库存编号：
APT6040BNG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
型号：
APT8075BN
仓库库存编号：
APT8075BN-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 55V 81A（Tc） 170W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP054N
仓库库存编号：
IRFP054N-ND
别名：*IRFP054N
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3710STRR
仓库库存编号：
IRF3710STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF1010EL
仓库库存编号：
IRF1010EL-ND
别名：*IRF1010EL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 57A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF3710L
仓库库存编号：
IRF3710L-ND
别名：*IRF3710L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010ESTRR
仓库库存编号：
IRF1010ESTRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
含铅
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