规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH10N100D
仓库库存编号：
IXTH10N100D-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 10A（Tc） 400W（Tc） TO-268
型号：
IXTT10N100D
仓库库存编号：
IXTT10N100D-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ40N50Q
仓库库存编号：
IXTQ40N50Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH40N50Q
仓库库存编号：
IXFH40N50Q-ND
别名：Q1794352
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH23N80Q
仓库库存编号：
IXFH23N80Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 40A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT40N50Q
仓库库存编号：
IXFT40N50Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 500W（Tc） TO-268
型号：
IXFT23N80Q
仓库库存编号：
IXFT23N80Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 43A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 43A（Tc） 565W（Tc） TO-264 [L]
型号：
APT6013LLLG
仓库库存编号：
APT6013LLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT6013JLL
仓库库存编号：
APT6013JLL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7540TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR7540TRLPBF-ND
别名：SP001565094
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 90A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU7540PBF
仓库库存编号：
IRFU7540PBF-ND
别名：SP001565384
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P405ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4-05
IPB80P03P4-05-ND
SP000396282
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P03P405AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P03P405AKSA1-ND
别名：SP000396388
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3007SPBF
仓库库存编号：
IRF3007SPBF-ND
别名：*IRF3007SPBF
SP001553924
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3007PBF
仓库库存编号：
IRF3007PBF-ND
别名：*IRF3007PBF
SP001571144
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 137W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P03P405AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P03P405AKSA1-ND
别名：SP000396316
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 110A（Tc） 160W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7540PBF
仓库库存编号：
IRFSL7540PBF-ND
别名：SP001557648
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3007STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3007STRLPBFTR-ND
别名：IRF3007STRLPBFTR
SP001563186
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 85A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 85A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7762PBF
仓库库存编号：
IRFSL7762PBF-ND
别名：SP001576382
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO263-5
型号：
BTS244ZE3062AATMA2
仓库库存编号：
BTS244ZE3062AATMA2-ND
别名：SP000910844
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3007
仓库库存编号：
AUIRF3007-ND
别名：SP001522102
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5
型号：
BTS244ZE3043AKSA2
仓库库存编号：
BTS244ZE3043AKSA2-ND
别名：SP000969782
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 285W（Tc） TO-247-3
型号：
STW24NK55Z
仓库库存编号：
497-7034-5-ND
别名：497-7034-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N90
仓库库存编号：
IXFH6N90-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.4A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE40
仓库库存编号：
IRFPE40-ND
别名：*IRFPE40
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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