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IXYS
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH9N80
仓库库存编号：
IXFH9N80-ND
别名：Q3837074
Q4932885
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH7N80
仓库库存编号：
IXFH7N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-GE3-ND
别名：SIHB30N60EGE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 55A SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ423EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ423EP-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI175N4F6AG
仓库库存编号：
STI175N4F6AG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 190W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH180N4F6-2
仓库库存编号：
STH180N4F6-2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET W/SC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR798DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR798DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR158DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR158DP-T1-RE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252AA
型号：
SQD50N04-4M5L_GE3
仓库库存编号：
SQD50N04-4M5L_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50N04-4M0L_GE3
仓库库存编号：
SQM50N04-4M0L_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Ta） 255W（Tc） TO-220-3
型号：
TK72E12N1,S1X
仓库库存编号：
TK72E12N1S1X-ND
别名：TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM35N30-97_GE3
仓库库存编号：
SQM35N30-97_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Ta） D2PAK
型号：
NTBV75N06T4G
仓库库存编号：
NTBV75N06T4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP130N10T2
仓库库存编号：
IXFP130N10T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T2
仓库库存编号：
IXFA130N10T2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG30N60E-E3-ND
别名：SIHG30N60EE3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH8N80
仓库库存编号：
IXFH8N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-268
型号：
IXTT8P50
仓库库存编号：
IXTT8P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH11P50
仓库库存编号：
IXTH11P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N90
仓库库存编号：
IXTH6N90-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 11A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXTT11P50
仓库库存编号：
IXTT11P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO247AD
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 5A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH5N100A
仓库库存编号：
IXTH5N100A-ND
别名：Q917004
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N90A
仓库库存编号：
IXTH6N90A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N80A
仓库库存编号：
IXTH6N80A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 13A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N90P
仓库库存编号：
IXFR24N90P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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