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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG30N60E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 40 V, 3.8 MOHM TYP., 1
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 130W（Tc） DPAK
型号：
STD180N4F6
仓库库存编号：
497-16938-1-ND
别名：497-16938-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56
详细描述：表面贴装 P 沟道 15.2A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），73W（Tc） Power56
型号：
FDMS6673BZ
仓库库存编号：
FDMS6673BZCT-ND
别名：FDMS6673BZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）
型号：
SIHP30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP30N60E-GE3CT-ND
别名：SIHP30N60E-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 49A（Tc） 58W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI1010NPBF
仓库库存编号：
IRFI1010NPBF-ND
别名：*IRFI1010NPBF
SP001570872
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK100A08N1,S4X
仓库库存编号：
TK100A08N1S4X-ND
别名：TK100A08N1,S4X(S
TK100A08N1,S4X-ND
TK100A08N1S4X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-268
型号：
IXFT24N90P
仓库库存编号：
IXFT24N90P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH24N90P
仓库库存编号：
IXFH24N90P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） TO-262
型号：
IRF3710LPBF
仓库库存编号：
IRF3710LPBF-ND
别名：*IRF3710LPBF
SP001551048
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 81A（Tc） 170W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP054NPBF
仓库库存编号：
IRFP054NPBF-ND
别名：*IRFP054NPBF
SP001566178
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 255W（Tc） TO-247-3
型号：
STW43NM60N
仓库库存编号：
497-8460-5-ND
别名：497-8460-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH175N4F6-2AG
仓库库存编号：
497-15467-1-ND
别名：497-15467-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH175N4F6-6AG
仓库库存编号：
497-15468-1-ND
别名：497-15468-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75639S3ST
仓库库存编号：
HUFA75639S3STCT-ND
别名：HUFA75639S3STCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM65N20-30-E3
仓库库存编号：
SUM65N20-30-E3CT-ND
别名：SUM65N20-30-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW30N60E-GE3-ND
别名：SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L-07
仓库库存编号：
IPP80N06S2L-07-ND
别名：IPP80N06S2L07
IPP80N06S2L07AKSA1
SP000218831
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3710STRLPBFCT-ND
别名：IRF3710STRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号：
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名：SP001067894
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA3
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA3CT-ND
别名：IPB80N06S2L07ATMA3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 140W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS7762TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7762TRLPBFCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS7540TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7540TRLPBFCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN2R2-40BS,118
仓库库存编号：
1727-7118-1-ND
别名：1727-7118-1
568-9488-1
568-9488-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR7540TRPBF
仓库库存编号：
IRFR7540TRPBFCT-ND
别名：IRFR7540TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 120V 72A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK72A12N1,S4X
仓库库存编号：
TK72A12N1S4X-ND
别名：TK72A12N1,S4X(S
TK72A12N1,S4X-ND
TK72A12N1S4X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
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