规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(139)
分立半导体产品
(139)
筛选品牌
Fairchild/Micross Components(9)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Infineon Technologies(50)
IXYS(26)
Microsemi Corporation(2)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(6)
Nexperia USA Inc.(5)
NXP USA Inc.(1)
ON Semiconductor(1)
Renesas Electronics America(1)
STMicroelectronics(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(4)
Vishay BC Components(2)
Vishay Beyschlag(14)
Vishay Electro-Films(5)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Siliconix(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR158DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR158DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR158DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P04-15-E3
仓库库存编号：
SUD50P04-15-E3CT-ND
别名：SUD50P04-15-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD034N06N3 G
仓库库存编号：
IPD034N06N3 GINCT-ND
别名：IPD034N06N3 GINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC031N06NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC031N06NS3 GCT
BSC031N06NS3 GCT-ND
BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 3.75W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP57N20-33-E3
仓库库存编号：
SUP57N20-33-E3-ND
别名：SUP57N2033E3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 8A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH8P50
仓库库存编号：
IXTH8P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 298W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA62N25C
仓库库存编号：
FQA62N25CFS-ND
别名：FQA62N25C-ND
FQA62N25CFS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N100
仓库库存编号：
IXFH6N100-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH7P50
仓库库存编号：
IXTH7P50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 137W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90P03P404ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P03P404ATMA1CT-ND
别名：IPD90P03P4-04INCT
IPD90P03P4-04INCT-ND
IPD90P03P404ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1010EPBF
仓库库存编号：
IRF1010EPBF-ND
别名：*IRF1010EPBF
SP001569818
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3710PBF
仓库库存编号：
IRF3710PBF-ND
别名：*IRF3710PBF
SP001551058
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 160W（Tc） TO-220
型号：
IRFB7540PBF
仓库库存编号：
IRFB7540PBF-ND
别名：SP001563988
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE40PBF
仓库库存编号：
IRFPE40PBF-ND
别名：*IRFPE40PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 220W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP17N50LPBF
仓库库存编号：
IRFP17N50LPBF-ND
别名：*IRFP17N50LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 255W（Tc） TO-220
型号：
TK100E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK100E08N1S1X-ND
别名：TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 220W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB17N50LPBF
仓库库存编号：
IRFB17N50LPBF-ND
别名：*IRFB17N50LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 98W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR7446TRPBF
仓库库存编号：
IRFR7446TRPBFCT-ND
别名：IRFR7446TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1010ESTRLPBF
仓库库存编号：
IRF1010ESTRLPBFCT-ND
别名：IRF1010ESTRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN3R0-60BS,118
仓库库存编号：
1727-7121-1-ND
别名：1727-7121-1
568-9491-1
568-9491-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.8W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL100N6LF6
仓库库存编号：
497-13273-1-ND
别名：497-13273-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN2R2-40PS,127
仓库库存编号：
1727-4267-ND
别名：1727-4267
568-4898-5
568-4898-5-ND
934063915127
PSMN2R240PS127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN3R0-60ES,127
仓库库存编号：
1727-5437-ND
别名：1727-5437
568-6906-5
568-6906-5-ND
934064562127
PSMN3R060ES127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 306W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R0-60PS,127
仓库库存编号：
1727-4285-ND
别名：1727-4285
568-4974-5
568-4974-5-ND
934064275127
PSMN3R060PS127
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 37W（Tc）
型号：
SIHF30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHF30N60E-GE3CT-ND
别名：SIHF30N60E-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 130nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
