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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 2.5W（Ta），26W（Tc） TO-251（IPAK）
  
  型号：SSU1N50BTU
  仓库库存编号：SSU1N50BTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P50D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P50D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P50DT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 80W（Tc） D-Pak
  
  型号：TK5P53D(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK5P53D(T6RSS-Q)-ND
  别名：TK5P53DT6RSSQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD80R1K2P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K2P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ14STRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ14STRLPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11S60
  仓库库存编号：AOTF11S60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 178W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW11S60
  仓库库存编号：AOW11S60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF11S60
  仓库库存编号：AOWF11S60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11S60L
  仓库库存编号：AOTF11S60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650mA（Ta），8A（Tc） 8.3W（Ta），156W（Tc） 4-DFN-EP（8x8）
  
  型号：AOV11S60
  仓库库存编号：785-1683-1-ND
  别名：785-1683-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 208W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI11S60
  仓库库存编号：AOI11S60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A50D(STA4,Q,M)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Ta） TO-220SIS
  
  型号：TK6A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK6A45DA(STA4QM)
  TK6A45DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 178W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB11S60L
  仓库库存编号：785-1246-1-ND
  别名：785-1246-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A53D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A53D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A53D(STA4QM)
  TK5A53DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK6A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK6A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK6A50D(STA4QM)
  TK6A50DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK5A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK5A55D(STA4QM)
  TK5A55DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK7A45DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK7A45DA(STA4QM)-ND
  别名：TK7A45DA(STA4QM)
  TK7A45DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A65DA(STA4,QM)
  仓库库存编号：TK3A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK3A65DA(STA4QM)
  TK3A65DASTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9010
  仓库库存编号：IRFD9010-ND
  别名：*IRFD9010
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK3A65D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK3A65D(STA4QM)-ND
  别名：TK3A65D(STA4QM)
  TK3A65DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K2P7AKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K2P7AKMA1-ND
  别名：SP001644614
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS80R1K2P7AKMA1
  仓库库存编号：IPS80R1K2P7AKMA1-ND
  别名：SP001644626
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 25W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K2P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K2P7XKSA1-ND
  别名：SP001644600
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 37W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：IPP80R1K2P7XKSA1
  仓库库存编号：IPP80R1K2P7XKSA1-ND
  别名：SP001644606
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11nC @ 10V,
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