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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7674DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7674DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 90A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM90N08-7M6P-E3
  仓库库存编号：SUM90N08-7M6P-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 85A（Tc） 3.75W（Ta），166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N03-04P-E3
  仓库库存编号：SUP85N03-04P-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 55V 55A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 55A（Tc） 1.2W（Ta），77W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP55N055SUG-E1-AY
  仓库库存编号：NP55N055SUG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 21A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21A（Ta），105A（Tc） 3.5W（Ta），150W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB442
  仓库库存编号：AOB442-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 15.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 15.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），150W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT440
  仓库库存编号：AOT440-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 19A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 19A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT18F60S
  仓库库存编号：APT18F60S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT24F50S
  仓库库存编号：APT24F50S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS33N15D
  仓库库存编号：IRFS33N15D-ND
  别名：*IRFS33N15D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB33N15D
  仓库库存编号：IRFB33N15D-ND
  别名：*IRFB33N15D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL33N15D
  仓库库存编号：IRFSL33N15D-ND
  别名：*IRFSL33N15D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS33N15DPBF
  仓库库存编号：IRFS33N15DPBF-ND
  别名：*IRFS33N15DPBF
  SP001571762
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BTS247Z E3062A
  仓库库存编号：BTS247Z E3062A-ND
  别名：BTS247ZE3062AATMA1
  BTS247ZE3062ANT
  BTS247ZE3062AT
  BTS247ZE3062AT-ND
  SP000012187
  SP000399010
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO220-5-3
  
  型号：BTS247ZAKSA1
  仓库库存编号：BTS247ZAKSA1-ND
  别名：BTS247Z
  BTS247Z-ND
  BTS247ZNK
  SP000012184
  SP000468058
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5
  
  型号：BTS247ZE3043AKSA1
  仓库库存编号：BTS247ZE3043AKSA1-ND
  别名：BTS247Z E3043
  BTS247Z E3043-ND
  BTS247ZE3043
  BTS247ZE3043NK
  SP000012185
  SP000399008
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 3.8W（Ta），170W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL33N15DTRRP
  仓库库存编号：IRFSL33N15DTRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CN10L G
  仓库库存编号：IPP08CN10L G-ND
  别名：SP000308791
  SP000680842
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRLH5036TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH5036TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH5036TR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 90nC @ 10V,
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