规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 250V 33A（Tc） 235W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI33N25TU
仓库库存编号：
FDI33N25TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 35A（Tc） 77W（Tc） TO-251AA
型号：
FDU8586
仓库库存编号：
FDU8586-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 35A（Tc） 77W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8586
仓库库存编号：
FDD8586CT-ND
别名：FDD8586CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
型号：
NTD24N06-1G
仓库库存编号：
NTD24N06-1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），70A（Tc） 2.2W（Ta），50W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1424
仓库库存编号：
785-1123-1-ND
别名：785-1123-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 24A（Ta） 55W（Tc） DPAK
型号：
NTD5414NT4G
仓库库存编号：
NTD5414NT4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8110(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8110(TE12L,Q,M)-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Ta） 35W（Tc） TO-220NIS
型号：
2SJ380(F)
仓库库存编号：
2SJ380(F)-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR876DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR876DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR876DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 30A（Tc） 1.5W（Ta），56W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK3481-AZ
仓库库存编号：
2SK3481-AZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.8W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4490
仓库库存编号：
AO4490-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.8W（Ta） 8-SO
型号：
AO4490L
仓库库存编号：
AO4490L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2705TR
仓库库存编号：
IRLL2705CT-ND
别名：*IRLL2705TR
IRLL2705CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P
仓库库存编号：
SPD30P06PINCT-ND
别名：SPD30P06PINCT
SPD30P06PXTINCT
SPD30P06PXTINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CNE8N G
仓库库存编号：
IPP16CNE8N G-ND
别名：IPP16CNE8NGX
IPP16CNE8NGXK
SP000096470
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU30P06P
仓库库存编号：
SPU30P06PIN-ND
别名：SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.6A（Ta），26A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6641TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6641TR1PBFCT-ND
别名：IRF6641TR1PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB16CN10N G
仓库库存编号：
IPB16CN10N G-ND
别名：SP000096452
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CN10N G
仓库库存编号：
IPD16CN10N G-ND
别名：SP000096454
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD16CNE8N G
仓库库存编号：
IPD16CNE8N G-ND
别名：SP000096455
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI16CN10N G
仓库库存编号：
IPI16CN10N G-ND
别名：SP000208930
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 85V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI16CNE8N G
仓库库存编号：
IPI16CNE8N G-ND
别名：SP000208931
SP000680720
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PGHKSA1
仓库库存编号：
SPP15P10PGHKSA1-ND
别名：SP000212313
SPP15P10P G
SPP15P10P G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 45A（Tc） 158W（Tc） DPAK
型号：
BUK7226-75A/C1,118
仓库库存编号：
BUK7226-75A/C1,118-ND
别名：934061629118
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），24A（Tc） 2.8W（Ta） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM9331TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM9331TR2PBFCT-ND
别名：IRFHM9331TR2PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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