规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(100)
分立半导体产品
(100)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(9)
Diodes Incorporated(3)
Fairchild/Micross Components(12)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
Infineon Technologies(22)
IXYS(10)
Micro Commercial Co(1)
Nexperia USA Inc.(1)
NXP USA Inc.(1)
Renesas Electronics America(1)
STMicroelectronics(3)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(1)
Toshiba Semiconductor and Storage(8)
Vishay Beyschlag(15)
Vishay Electro-Films(3)
Vishay Huntington Electric Inc.(1)
Vishay Semiconductor Opto Division(1)
Vishay Siliconix(3)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N65ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65ET1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N65ET4-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65ET4-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
型号：
SIHD6N65ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N65ET5-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述：通孔 N 沟道 250V 37W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF33N25TRDTU
仓库库存编号：
FDPF33N25TRDTU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP6N65E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） D2PAK
型号：
TK20G60W,RVQ
仓库库存编号：
TK20G60WRVQCT-ND
别名：TK20G60WRVQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号：
DMNH4005SCTQ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCT
仓库库存编号：
DMNH4005SCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP15P15T
仓库库存编号：
IXTP15P15T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-252
型号：
IXTY15P15T
仓库库存编号：
IXTY15P15T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA15P15T
仓库库存编号：
IXTA15P15T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHB12N50C-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 36W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF12N50C-E3
仓库库存编号：
SIHF12N50C-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP460P2
仓库库存编号：
IXTP460P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ24N50P2
仓库库存编号：
IXFQ24N50P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
不适用
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH460P2
仓库库存编号：
IXTH460P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-220
型号：
TK20E60W,S1VX
仓库库存编号：
TK20E60WS1VX-ND
别名：TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） TO-247
型号：
TK20N60W,S1VF
仓库库存编号：
TK20N60WS1VF-ND
别名：TK20N60W,S1VF(S
TK20N60WS1VF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268
型号：
IXFT6N100Q
仓库库存编号：
IXFT6N100Q-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名：SP000096469
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP15P10PHXKSA1-ND
别名：SP000683160
SPP15P10P H
SPP15P10P H-ND
SPP15P10PH
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 25A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL25N15F4
仓库库存编号：
497-10105-1-ND
别名：497-10105-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 650V 8.5A（Tc） 167W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB9N65A
仓库库存编号：
IRFB9N65A-ND
别名：*IRFB9N65A
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.1A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIB5N65A
仓库库存编号：
IRFIB5N65A-ND
别名：*IRFIB5N65A
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） I-Pak
型号：
NTD24N06-001
仓库库存编号：
NTD24N06-001OS-ND
别名：NTD24N06-001OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
含铅
搜索
1
2
3
4
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
