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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA6N65E-E3
仓库库存编号：
SIHA6N65E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），36A（Tc） 3.1W（Ta），23W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7702
仓库库存编号：
785-1139-1-ND
别名：785-1139-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 1.36W（Ta），62.5W（Tj） DPAK
型号：
NTD24N06T4G
仓库库存编号：
NTD24N06T4GOSCT-ND
别名：NTD24N06T4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
IPA093N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA093N06N3GXKSA1-ND
别名：IPA093N06N3 G
IPA093N06N3 G-ND
IPA093N06N3G
SP000451088
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 650V 12A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB12N65L
仓库库存编号：
785-1717-1-ND
别名：785-1717-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA460P2
仓库库存编号：
IXTA460P2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
不受无铅要求限制
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 165W（Tc） I2PAK
型号：
TK20C60W,S1VQ
仓库库存编号：
TK20C60WS1VQ-ND
别名：TK20C60W,S1VQ(S
TK20C60WS1VQ
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP16CN10N G
IPP16CN10N G-ND
IPP16CN10NG
IPP16CN10NGIN
IPP16CN10NGIN-ND
IPP16CN10NGX
IPP16CN10NGXK
SP000680880
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2705TRPBF
仓库库存编号：
IRLL2705PBFCT-ND
别名：*IRLL2705TRPBF
IRLL2705PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N100Q
仓库库存编号：
IXFH6N100Q-ND
别名：478547
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHB6N65E-GE3CT-ND
别名：SIHB6N65E-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHF6N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHF6N65E-GE3-ND
别名：SIHF6N65E-GE3CT
SIHF6N65E-GE3CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
STS5N15F4
仓库库存编号：
497-10106-1-ND
别名：497-10106-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH POWERPAK8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 12A, 9A 3.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7540ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7540ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7540ADP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP90220E-GE3
仓库库存编号：
SUP90220E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 64A（Tc） 230W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SUM90220E-GE3
仓库库存编号：
SUM90220E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 55W（Tc） DPAK
型号：
NVD5414NT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5414NT4G-VF01-ND
别名：NVD5414NT4G
NVD5414NT4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.8W PowerDI5060-8
型号：
DMNH4005SPSQ-13
仓库库存编号：
DMNH4005SPSQ-13-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.7A（Ta），54A（Tc） 3.9W（Ta），100W（Tc） DPAK
型号：
NVD5484NLT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5484NLT4G-VF01-ND
别名：NVD4810NT4G-VF01
NVD5484NLT4G
NVD5484NLT4G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4932DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4932DY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-220
型号：
AOT12N65
仓库库存编号：
AOT12N65-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 28W（Tc）
型号：
AOWF12N65
仓库库存编号：
AOWF12N65-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12N65
仓库库存编号：
AOTF12N65-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 12A（Tc） 278W（Tc） TO-262
型号：
AOW12N65
仓库库存编号：
AOW12N65-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34.4A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR690DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR690DP-T1-RE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 48nC @ 10V,
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