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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3983DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3983DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8602M-TL-H
  仓库库存编号：ECH8602M-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 1.5W（Ta） 6-MCPH
  
  型号：MCH6436-TL-E
  仓库库存编号：MCH6436-TL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1406DH-T1-E3
  仓库库存编号：SI1406DH-T1-E3CT-ND
  别名：SI1406DH-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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  MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A 1.5W Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8601M-C-TL-H
  仓库库存编号：ECH8601M-C-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8601M-TL-H
  仓库库存编号：ECH8601M-TL-HOSCT-ND
  别名：ECH8601M-TL-HOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5A 1.3W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6804A_101
  仓库库存编号：AO6804A_101-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta） 2.37W（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS4C16NTAG
  仓库库存编号：NTLUS4C16NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 24V 8A (Ta) Surface Mount 8-ECH
  
  型号：ECH8601M-TL-H-P
  仓库库存编号：ECH8601M-TL-H-P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902TRPBF
  仓库库存编号：IRF1902TRPBFCT-ND
  别名：IRF1902TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902GTRPBF
  仓库库存编号：IRF1902GTRPBF-ND
  别名：SP001561612
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.2A（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF1902GPBF
  仓库库存编号：IRF1902GPBF-ND
  别名：SP001571184
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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