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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5515DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5515DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5515DC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5908DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5908DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5908DC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6K513NU,LF
  仓库库存编号：SSM6K513NULFCT-ND
  别名：SSM6K513NULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5908DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5908DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5908DC-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.1A（Ta） 530mW（Ta）, 4.46W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN70XPX
  仓库库存编号：1727-2701-1-ND
  别名：1727-2701-1
  568-13220-1
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  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.5A（Ta） 490mW（Ta）, 5W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV75UP,215
  仓库库存编号：1727-2312-1-ND
  别名：1727-2312-1
  568-12598-1
  568-12598-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 515mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB70XPE,115
  仓库库存编号：1727-1330-1-ND
  别名：1727-1330-1
  568-10762-1
  568-10762-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6K514NU,LF
  仓库库存编号：SSM6K514NULFCT-ND
  别名：SSM6K514NULFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
  
  型号：CSD25202W15T
  仓库库存编号：296-37964-1-ND
  别名：296-37964-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 54W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM080N03EPQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM080N03EPQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM080N03EPQ56 RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.4W Surface Mount
  
  型号：EFC4626R-TR
  仓库库存编号：EFC4626R-TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 20V 5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5A 1.3W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6804A
  仓库库存编号：AO6804A-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6A MCPH6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.5W（Ta） SC-88FL/ MCPH6
  
  型号：MCH6436-TL-W
  仓库库存编号：MCH6436-TL-W-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 385mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：PMN80XP,115
  仓库库存编号：1727-1363-1-ND
  别名：1727-1363-1
  568-10806-1
  568-10806-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 8V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA920DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA920DJ-T1-GE3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.4A, 3A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5515DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5515DC-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.6W（Ta），20W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM8342TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8342TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8342TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3588DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3588DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3588DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3911DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3911DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3911DV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3983DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3983DV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3983DV-T1-E3CT
  SI3983DVT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.4A（Ta） 1.1W（Ta） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5856DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5856DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5856DC-T1-E3CT
  SI5856DCT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.1A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1406DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1406DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1406DH-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3588DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3588DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3588DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 4.5V,
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