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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ48ZL
  仓库库存编号：IRFZ48ZL-ND
  别名：*IRFZ48ZL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48ZS
  仓库库存编号：IRFZ48ZS-ND
  别名：*IRFZ48ZS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48ZPBF
  仓库库存编号：IRFZ48ZPBF-ND
  别名：*IRFZ48ZPBF
  SP001573572
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ48ZSPBF
  仓库库存编号：IRFZ48ZSPBF-ND
  别名：*IRFZ48ZSPBF
  SP001557846
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ48ZLPBF
  仓库库存编号：IRFZ48ZLPBF-ND
  别名：*IRFZ48ZLPBF
  SP001573562
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 21.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 21.2A（Tc） 6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK24NQ04LT,518
  仓库库存编号：PHK24NQ04LT,518-ND
  别名：934057265518
  PHK24NQ04LT /T3
  PHK24NQ04LT /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CNE8N G
  仓库库存编号：IPP12CNE8N G-ND
  别名：IPP12CNE8NGX
  IPP12CNE8NGXK
  SP000096467
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000681042
  SPP11N60CFD
  SPP11N60CFD-ND
  SPP11N60CFDIN
  SPP11N60CFDIN-ND
  SPP11N60CFDX
  SPP11N60CFDXK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB12CNE8N G
  仓库库存编号：IPB12CNE8N G-ND
  别名：SP000096451
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CNE8N G
  仓库库存编号：IPD12CNE8N G-ND
  别名：SP000096477
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI12CNE8N G
  仓库库存编号：IPI12CNE8N G-ND
  别名：SP000208929
  SP000680714
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R140CP
  仓库库存编号：IPI50R140CP-ND
  别名：SP000396822
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI11N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPI11N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000229994
  SP000680990
  SPI11N60CFD
  SPI11N60CFD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB45N06S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPB45N06S4L08ATMA1TR-ND
  别名：IPB45N06S4L-08
  IPB45N06S4L-08-ND
  SP000374316
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50N06S4L08ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N06S4L08ATMA1TR-ND
  别名：IPD50N06S4L-08
  IPD50N06S4L-08-ND
  SP000374322
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP45N06S4L08AKSA1
  仓库库存编号：IPP45N06S4L08AKSA1-ND
  别名：IPP45N06S4L-08
  IPP45N06S4L-08-ND
  SP000374340
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFZ48ZS
  仓库库存编号：AUIRFZ48ZS-ND
  别名：SP001518766
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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  MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 14A 2.1W Surface Mount DIRECTFET? MC
  
  型号：IRF9395MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF9395MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF9395MTR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001271070
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60CFDHKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60CFDHKSA1-ND
  别名：SP000014533
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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