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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPD050N10N5ATMA1-ND
  别名：SP001602184
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-220
  
  型号：AUIRFZ48Z
  仓库库存编号：AUIRFZ48Z-ND
  别名：SP001516066
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB065N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB065N10N3GATMA1-ND
  别名：SP001232588
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 10.8A（Ta） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R460CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R460CEXKSA2-ND
  别名：SP001313396
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-3
  
  型号：SPA11N60CFDXKSA1
  仓库库存编号：SPA11N60CFDXKSA1-ND
  别名：SP000216317
  SPA11N60CFD
  SPA11N60CFD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 550V 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R140CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R140CPHKSA1-ND
  别名：IPP50R140CP
  IPP50R140CP-ND
  SP000234986
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW11N60CFDFKSA1
  仓库库存编号：SPW11N60CFDFKSA1-ND
  别名：SP000014534
  SPW11N60CFD
  SPW11N60CFD-ND
  SPW11N60CFDIN
  SPW11N60CFDIN-ND
  SPW11N60CFDX
  SPW11N60CFDXK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080114
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080100
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080116
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 33A（Tc） 171W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ65R065C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ65R065C7XKSA1-ND
  别名：SP001080120
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 60A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB100NH02LT4
  仓库库存编号：STB100NH02LT4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 60A（Tc） 95W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD90NH02LT4
  仓库库存编号：STD90NH02LT4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF30N65M5
  仓库库存编号：497-11395-5-ND
  别名：497-11395-5
  STF30N65M5-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7506-55B,127
  仓库库存编号：568-6618-5-ND
  别名：568-6618
  568-6618-5
  568-6618-ND
  934057687127
  BUK7506-55B
  BUK7506-55B,127-ND
  BUK7506-55B-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP450A
  仓库库存编号：IRFP450A-ND
  别名：*IRFP450A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Ta） 70W（Ta） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6676AS
  仓库库存编号：FDD6676AS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Ta） 70W（Ta） IPAK（TO-251）
  
  型号：FDU6676AS
  仓库库存编号：FDU6676AS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH1930AL,115
  仓库库存编号：PH1930AL,115-ND
  别名：934063083115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 10A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8125,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8125LQ(S-ND
  别名：TPC8125LQ(S
  TPC8125LQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta），85A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6244
  仓库库存编号：785-1336-1-ND
  别名：785-1336-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 52A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 52A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6754
  仓库库存编号：785-1369-1-ND
  别名：785-1369-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 118W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD8453LZ_F085
  仓库库存编号：FDD8453LZ_F085-5-ND
  别名：FDD8453LZ_F085-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 347W（Tc） TO-3PN
  
  型号：GP2M023A050N
  仓库库存编号：GP2M023A050N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 91W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48Z
  仓库库存编号：IRFZ48Z-ND
  别名：*IRFZ48Z
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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