规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 254W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7606-55B,118
仓库库存编号：
1727-5247-1-ND
别名：1727-5247-1
568-6571-1
568-6571-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L16ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50R140CP
仓库库存编号：
IPB50R140CPCT-ND
别名：IPB50R140CPCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 169W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL65R070C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R070C7AUMA1CT-ND
别名：IPL65R070C7AUMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 21A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 50W（Tc） TO-220FM
型号：
R5021ANX
仓库库存编号：
R5021ANX-ND
别名：R5021ANXCT
R5021ANXCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 147W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP14N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP14N60E-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 147W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA14N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA14N60E-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 15A SC83
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 1.35W（Ta），50W（Tc） LPTS（SC-83）
型号：
RSJ151P10TL
仓库库存编号：
RSJ151P10TLCT-ND
别名：RSJ151P10TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），22A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC86520L
仓库库存编号：
FDMC86520LCT-ND
别名：FDMC86520LCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT15N100Q3
仓库库存编号：
IXFT15N100Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 400W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR15N100Q3
仓库库存编号：
IXFR15N100Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），150A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6512
仓库库存编号：
785-1366-1-ND
别名：785-1366-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 114W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN3R4-30BL,118
仓库库存编号：
1727-7115-1-ND
别名：1727-7115-1
568-9485-1
568-9485-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 27A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD512
仓库库存编号：
785-1356-1-ND
别名：785-1356-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 47A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），36A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6756
仓库库存编号：
785-1602-1-ND
别名：785-1602-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Sanken
MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 3.1W（Ta），77W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
GKI03026
仓库库存编号：
GKI03026CT-ND
别名：GKI03026CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
型号：
TPC8133,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8133LQ(S-ND
别名：TPC8133LQ(S
TPC8133LQS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
型号：
RDN150N20FU6
仓库库存编号：
RDN150N20FU6-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），102A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86202ET120
仓库库存编号：
FDMS86202ET120CT-ND
别名：FDMS86202ET120CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 100W（Tc） LPTS
型号：
R5021ANJTL
仓库库存编号：
R5021ANJTL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S4L08ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S4L08ATMA2-ND
别名：SP001028664
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A PG-TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP45N06S4L08AKSA2
仓库库存编号：
IPP45N06S4L08AKSA2-ND
别名：SP001028650
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI45N06S4L08AKSA1
仓库库存编号：
IPI45N06S4L08AKSA1-ND
别名：IPI45N06S4L-08
IPI45N06S4L-08-ND
SP000374333
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号：
IPI50N10S3L16AKSA1-ND
别名：IPI50N10S3L-16
IPI50N10S3L-16-ND
SP000407120
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 64nC @ 10V,
无铅
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