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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 97W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R0-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4163-1-ND
别名:1727-4163-1
568-4679-1
568-4679-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-100YS,115
仓库库存编号:
1727-4289-1-ND
别名:1727-4289-1
568-4978-1
568-4978-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ040N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ040N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ040N04LSGINCT
BSZ040N04LSGINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC035N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC035N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC035N04LS GCT
BSC035N04LS GCT-ND
BSC035N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 16.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.4A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),65W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8453LZ
仓库库存编号:
FDD8453LZCT-ND
别名:FDD8453LZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC010NE2LS
仓库库存编号:
BSC010NE2LSCT-ND
别名:BSC010NE2LSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP450APBF
仓库库存编号:
IRFP450APBF-ND
别名:*IRFP450APBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW30N65M5
仓库库存编号:
497-10655-5-ND
别名:497-10655-5
STW30N65M5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Ta),85A(Tc) 7.4W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6502
仓库库存编号:
785-1576-1-ND
别名:785-1576-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号:
IPP50N10S3L16AKSA1-ND
别名:IPP50N10S3L-16
IPP50N10S3L-16-ND
IPP50N10S3L16
SP000407118
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
STP30N65M5
仓库库存编号:
497-10078-5-ND
别名:497-10078-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH15N100Q3
仓库库存编号:
IXFH15N100Q3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R140CP
仓库库存编号:
IPA50R140CP-ND
别名:IPA50R140CPXKSA1
SP000234988
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 114W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R4-30PL,127
仓库库存编号:
1727-5895-ND
别名:1727-5895
568-7514-5
568-7514-5-ND
934064004127
PSMN3R4-30PL,127-ND
PSMN3R430PL127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 13A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 147W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD14N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHD14N60E-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R140CP
仓库库存编号:
IPW50R140CP-ND
别名:IPW50R140CPFKSA1
SP000234989
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 140W(Tc) I2PAK
型号:
STI30N65M5
仓库库存编号:
497-11330-5-ND
别名:497-11330-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 50A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 118W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8453LZ_F085
仓库库存编号:
FDD8453LZ_F085CT-ND
别名:FDD8453LZ_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),76A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8333L
仓库库存编号:
FDMS8333LCT-ND
别名:FDMS8333LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18532NQ5B
仓库库存编号:
296-36445-1-ND
别名:296-36445-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Ta) 3.3W(Ta),78W(Tc) Dual Cool?56
型号:
FDMS3008SDC
仓库库存编号:
FDMS3008SDCCT-ND
别名:FDMS3008SDCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 53.7A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc)
型号:
SIR872DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR872DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR872DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta) 2.7W(Ta),156W(Tc) Power56
型号:
FDMS86202
仓库库存编号:
FDMS86202CT-ND
别名:FDMS86202CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP50R140CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPXKSA1-ND
别名:SP000680932
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
STB30N65M5
仓库库存编号:
497-10563-1-ND
别名:497-10563-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 64nC @ 10V,
无铅
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