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IXYS
MOSFET N-CH 300V 50A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT50N30Q3
仓库库存编号：
IXFT50N30Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7938DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7938DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7938DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 388W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA20N50F
仓库库存编号：
FDA20N50F-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB120N4F6
仓库库存编号：
497-10768-1-ND
别名：497-10768-1
497-10768-5
497-10768-5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP17NK40Z
仓库库存编号：
497-12610-5-ND
别名：497-12610-5
STP17NK40Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 36A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），85A（Tc） 5.6W（Ta），70W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6554
仓库库存编号：
AON6554-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），90W（Tc） TO-251A
型号：
AOI423
仓库库存编号：
AOI423-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），85A（Tc） 6.2W（Ta），48W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6572
仓库库存编号：
AON6572-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 15A
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），90W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD423
仓库库存编号：
AOD423-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），90W（Tc） TO-251B
型号：
AOY423
仓库库存编号：
AOY423-ND
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无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA64DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA64DP-T1-RE3-ND
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Vishay Siliconix
N-CH POWERPAK SO-8 BWL 30V 2.1MO
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 27.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA64DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA64DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 46W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ446EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ446EP-T1_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR864DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR864DP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ886EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ886EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ886EP-T1-GE3
SQJ886EP-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
PHB20NQ20T,118
仓库库存编号：
1727-7201-1-ND
别名：1727-7201-1
568-9692-1
568-9692-1-ND
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无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NWFT1G-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 41A（Ta）, 235A（Tc） 3.8W（Ta）, 128W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C426NWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C426NWFAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS10C4D2N
仓库库存编号：
FDMS10C4D2N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 65nC @ 10V,
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