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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tj） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI9409_F085
  仓库库存编号：FDI9409_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 84A（Ta） 83W（Ta） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6688
  仓库库存编号：FDD6688CT-ND
  别名：FDD6688CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB7NK80ZT4
  仓库库存编号：497-6557-1-ND
  别名：497-6557-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 23A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 23A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8240L
  仓库库存编号：FDMD8240LCT-ND
  别名：FDMD8240LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 24A 50W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8240LET40
  仓库库存编号：FDMD8240LET40CT-ND
  别名：FDMD8240LET40CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80ZL1
  仓库库存编号：FCPF400N80ZL1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 195W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP400N80Z
  仓库库存编号：FCP400N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） DPAK
  
  型号：STB45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16129-1-ND
  别名：497-16129-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3410TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR3410TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR3410TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7490TRPBF
  仓库库存编号：IRF7490TRPBFCT-ND
  别名：IRF7490TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），71A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC118N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC118N10NSGATMA1CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB026N06NATMA1
  仓库库存编号：IPB026N06NATMA1CT-ND
  别名：IPB026N06N-ND
  IPB026N06NATMA1CT
  IPB026N06NCT
  IPB026N06NCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP7NK80ZFP
  仓库库存编号：497-11399-5-ND
  别名：497-11399-5
  STP7NK80ZFP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA041N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPA041N04NGXKSA1-ND
  别名：SP001191328
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP7NK80Z
  仓库库存编号：497-15684-5-ND
  别名：497-15684-5
  STP7NK80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A ZNR
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80Z
  仓库库存编号：FCPF400N80Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 3.8W（Ta），136W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB23N15DPBF
  仓库库存编号：IRFB23N15DPBF-ND
  别名：*IRFB23N15DPBF
  SP001566508
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 195W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI13N50CTU
  仓库库存编号：FQI13N50CTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R125P6XKSA1-ND
  别名：SP001114656
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP43N60DM2
  仓库库存编号：497-16342-5-ND
  别名：497-16342-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Ta），100A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI029N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPI029N06NAKSA1-ND
  别名：IPI029N06N
  IPI029N06N-ND
  SP000962134
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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  NCH 600V 30A POWER MOSFET, TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6030KNX
  仓库库存编号：R6030KNX-ND
  别名：R6030KNXTR
  R6030KNXTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 305W（Tc） TO-247
  
  型号：R6030KNZ1C9
  仓库库存编号：R6030KNZ1C9-ND
  别名：R6030KNZ1C9TR
  R6030KNZ1C9TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 30A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 86W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6030KNZC8
  仓库库存编号：R6030KNZC8-ND
  别名：R6030KNZC8TR
  R6030KNZC8TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP041N04NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP041N04NGXKSA1-ND
  别名：IPP041N04N G
  IPP041N04N G-ND
  IPP041N04NG
  SP000680790
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 56nC @ 10V,
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