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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 600V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60ET5-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA70N20
  仓库库存编号：FDA70N20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30.8A（Ta） 240W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK31V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK31V60WLVQCT-ND
  别名：TK31V60WLVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N80P
  仓库库存编号：IXFH20N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
  
  型号：TK31E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK31E60WS1VX-ND
  别名：TK31E60W,S1VX(S
  TK31E60WS1VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK31A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK31A60WS4VX-ND
  别名：TK31A60W,S4VX(M
  TK31A60WS4VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV20N80P
  仓库库存编号：IXFV20N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 500W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N80P
  仓库库存编号：IXFT20N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF1010EZSTRL
  仓库库存编号：AUIRF1010EZSTRL-ND
  别名：SP001520896
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 21.3A（Tc） 195W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R165CFDAUMA1
  仓库库存编号：IPL65R165CFDAUMA1-ND
  别名：SP000949254
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R150CFDXKSA1
  仓库库存编号：IPI65R150CFDXKSA1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R150CFDAATMA1
  仓库库存编号：IPB65R150CFDAATMA1-ND
  别名：SP000928270
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R150CFDFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R150CFDFKSA1-ND
  别名：SP000907038
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R150CFDAAKSA1
  仓库库存编号：IPP65R150CFDAAKSA1-ND
  别名：SP000928272
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 22.4A（Tc） 195.3W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R150CFDAFKSA1
  仓库库存编号：IPW65R150CFDAFKSA1-ND
  别名：SP000928274
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 64A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI200N25N3 G
  仓库库存编号：IPI200N25N3 G-ND
  别名：IPI200N25N3G
  IPI200N25N3GAKSA1
  SP000714308
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW16NK60Z
  仓库库存编号：497-3558-5-ND
  别名：497-3558-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP16NK60Z
  仓库库存编号：497-4372-5-ND
  别名：497-4372-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF16NK60Z
  仓库库存编号：STF16NK60Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76639S3S
  仓库库存编号：HUF76639S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76639P3
  仓库库存编号：HUFA76639P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76639S3S
  仓库库存编号：HUFA76639S3S-ND
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 51A（Tc） 180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76639S3ST
  仓库库存编号：HUFA76639S3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK754R0-55B,127
  仓库库存编号：568-6625-5-ND
  别名：568-6625
  568-6625-5
  568-6625-ND
  934057090127
  BUK754R0-55B
  BUK754R0-55B,127-ND
  BUK754R0-55B-ND
  BUK754R055B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 86nC @ 10V,
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