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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM830DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM830DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM830DTR2PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRFR4105Z
  仓库库存编号：AUIRFR4105Z-ND
  别名：SP001520528
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC240N12NS3 G
  仓库库存编号：BSC240N12NS3 GCT-ND
  别名：BSC240N12NS3 GCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPBTMA1CT-ND
  别名：IPD60R600CPCT
  IPD60R600CPCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.1A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R600CPATMA1
  仓库库存编号：IPD60R600CPATMA1-ND
  别名：SP000680642
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP07N60C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP07N60C3HKSA1-ND
  别名：SP000013525
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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