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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8001-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8001-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8001-H(TE12LQMCT
  TPCC8001HTE12LQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8002-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8002-H(TE12LQMCT
  TPCC8002HTE12LQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8006-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8006-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8006-H(TE12LQMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10.7A, 11.3A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4388DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4388DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4850EY-T1
  仓库库存编号：SI4850EY-T1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7980DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7980DP-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR874DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR874DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0654DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0654DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0654DPB-00#J5CT
  RJK0654DPB00J5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 25A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0854DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0854DPB-00#J5CT-ND
  别名：RJK0854DPB-00#J5CT
  RJK0854DPB00J5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3616S
  仓库库存编号：FDMS3616SCT-ND
  别名：FDMS3616SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M009A060FH
  仓库库存编号：GP1M009A060FH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M007A065CG
  仓库库存编号：1560-1163-2-ND
  别名：1560-1163-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M009A060H
  仓库库存编号：1560-1172-5-ND
  别名：1560-1172-1
  1560-1172-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1
  仓库库存编号：IRF7421D1-ND
  别名：*IRF7421D1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410
  仓库库存编号：IRF9410-ND
  别名：*IRF9410
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520NS
  仓库库存编号：IRF9520NS-ND
  别名：*IRF9520NS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9120N
  仓库库存编号：IRFU9120N-ND
  别名：*IRFU9120N
  SP001573590
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TR
  仓库库存编号：IRF7603CT-ND
  别名：*IRF7603TR
  IRF7603
  IRF7603CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.4A（Tc） 86W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU9N20D
  仓库库存编号：IRFU9N20D-ND
  别名：*IRFU9N20D
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF9520NL
  仓库库存编号：IRF9520NL-ND
  别名：*IRF9520NL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1TR
  仓库库存编号：IRF7421D1TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410TR
  仓库库存编号：IRF9410TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520NSTRL
  仓库库存编号：IRF9520NSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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  MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9520NSTRR
  仓库库存编号：IRF9520NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRL
  仓库库存编号：IRFR9120NTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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