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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO083N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
别名：BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ240N12NS3 G
仓库库存编号：
BSZ240N12NS3 GCT-ND
别名：BSZ240N12NS3 GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N06NATMA1
仓库库存编号：
IPD053N06NATMA1CT-ND
别名：IPD053N06N-ND
IPD053N06NATMA1CT
IPD053N06NCT
IPD053N06NCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB057N06NATMA1
仓库库存编号：
IPB057N06NATMA1CT-ND
别名：IPB057N06N-ND
IPB057N06NATMA1CT
IPB057N06NCT
IPB057N06NCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 120W（Tc） PG-HSOF-8
型号：
IPT60R125G7XTMA1
仓库库存编号：
IPT60R125G7XTMA1CT-ND
别名：IPT60R125G7XTMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A CPT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 20W（Tc） CPT3
型号：
RSD140P06TL
仓库库存编号：
RSD140P06TLCT-ND
别名：RSD140P06TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 11.5A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP12P10
仓库库存编号：
FQP12P10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），58A（Tc） 2.1W（Ta），100W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB298L
仓库库存编号：
785-1362-1-ND
别名：785-1362-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 10A 2.2W Surface Mount Power56
型号：
FDMS8090
仓库库存编号：
FDMS8090CT-ND
别名：FDMS8090CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
STD14NM50N
仓库库存编号：
497-10646-1-ND
别名：497-10646-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 4.8W（Ta）, 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL8DN6LF6AG
仓库库存编号：
497-16504-1-ND
别名：497-16504-1
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 80A TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 630mW（Ta）, 86W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN3R704PL,L1Q
仓库库存编号：
TPN3R704PLL1QCT-ND
别名：TPN3R704PLL1QCT
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 36.7A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7252DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7252DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7252DP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot
型号：
SI8489EDB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8489EDB-T2-E1CT-ND
别名：SI8489EDB-T2-E1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ042N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ042N06NSATMA1CT-ND
别名：BSZ042N06NS
BSZ042N06NS-ND
BSZ042N06NSATMA1CT
BSZ042N06NSCT
BSZ042N06NSCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC039N06NSATMA1
仓库库存编号：
BSC039N06NSATMA1CT-ND
别名：BSC039N06NS
BSC039N06NS-ND
BSC039N06NSATMA1CT
BSC039N06NSCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17P06
仓库库存编号：
FQP17P06-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 3.2W（Ta） 8-SO
型号：
STS8N6LF6AG
仓库库存编号：
497-17150-1-ND
别名：497-17150-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Ta），45A（Tc） 3W（Ta），83W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP060N06NAKSA1
仓库库存编号：
IPP060N06NAKSA1-ND
别名：IPP060N06N
IPP060N06N-ND
SP000917402
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Tc） 5.3W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM9435CS RLG
仓库库存编号：
TSM9435CS RLGTR-ND
别名：TSM9435CS RLGTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Tc） 5.3W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM9435CS RLG
仓库库存编号：
TSM9435CS RLGCT-ND
别名：TSM9435CS RLGCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Tc） 5.3W（Tc） 8-SOP
型号：
TSM9435CS RLG
仓库库存编号：
TSM9435CS RLGDKR-ND
别名：TSM9435CS RLGDKR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STD2NK90Z-1
仓库库存编号：
497-12784-5-ND
别名：497-12784-5
STD2NK90Z-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU13NM60N
仓库库存编号：
STU13NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
无铅
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