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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03MSGINCT
  BSC080N03MSGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 92A TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 92A（Tc） 960mW（Ta）, 81W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH3R704PL,L1Q
  仓库库存编号：TPH3R704PLL1QCT-ND
  别名：TPH3R704PLL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU07N60C3
  仓库库存编号：SPU07N60C3IN-ND
  别名：SP000101635
  SPU07N60C3-ND
  SPU07N60C3BKMA1
  SPU07N60C3IN
  SPU07N60C3X
  SPU07N60C3XK
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI14NM50N
  仓库库存编号：497-13534-ND
  别名：497-13534
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：TPCC8002-H(TE12LQCT-ND
  别名：TPCC8002-H(TE12LQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12L,Q
  仓库库存编号：1246-TPCC8002-H(TE12LQ-CHP
  别名：TPCC8002HTE12LQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.4A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD12P10TM_F085
  仓库库存编号：FQD12P10TM_F085CT-ND
  别名：FQD12P10TM_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA426DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA426DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA426DJ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc）
  
  型号：SIR474DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR474DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR474DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD4NS25T4
  仓库库存编号：497-8479-1-ND
  别名：497-8479-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DI9956T
  仓库库存编号：DI9956CT-ND
  别名：DI9956
  DI9956CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：DI9956T
  仓库库存编号：981-DI9956T-CHP
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 4.8W（Ta）, 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N6LF6AG
  仓库库存编号：497-16505-1-ND
  别名：497-16505-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8690
  仓库库存编号：FDS8690CT-ND
  别名：FDS8690CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD2NK90ZT4
  仓库库存编号：497-4332-1-ND
  别名：497-4332-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 40W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP206-TL-H
  仓库库存编号：869-1081-1-ND
  别名：869-1081-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3615S
  仓库库存编号：FDMS3615SCT-ND
  别名：FDMS3615SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7980DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7980DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7980DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 26A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3602AS
  仓库库存编号：FDMS3602ASCT-ND
  别名：FDMS3602ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7850DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7850DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7850DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 15A, 30A 2.2W, 2.5W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3600AS
  仓库库存编号：FDMS3600ASCT-ND
  别名：FDMS3600ASCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 190W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK20J60U(F)
  仓库库存编号：TK20J60UF-ND
  别名：TK20J60U(F)-ND
  TK20J60UF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK20A60UQM-ND
  别名：TK20A60U(Q)
  TK20A60UQ
  TK20A60UQ-ND
  TK20A60UQM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7421D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7421D1TRPBF
  IRF7421D1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 27nC @ 10V,
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