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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP23NM60N
仓库库存编号：
497-7517-5-ND
别名：497-7517-5
STP23NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NM60A
仓库库存编号：
497-4376-5-ND
别名：497-4376-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 850V 6.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8NK85Z
仓库库存编号：
STF8NK85Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 850V 6.7A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP8NK85Z
仓库库存编号：
497-5205-5-ND
别名：497-5205-5
STP8NK85Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF23NM60N
仓库库存编号：
STF23NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
型号：
STI23NM60N
仓库库存编号：
STI23NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW23NM60N
仓库库存编号：
497-7621-5-ND
别名：497-7621-5
STW23NM60N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 19A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB23NM60N
仓库库存编号：
497-7943-1-ND
别名：497-7943-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 140W（Tc） I2PAK
型号：
STI21NM60ND
仓库库存编号：
STI21NM60ND-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF26NM60N-H
仓库库存编号：
STF26NM60N-H-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS8410
仓库库存编号：
NDS8410CT-ND
别名：NDS8410CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40
仓库库存编号：
IRFBC40-ND
别名：*IRFBC40
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40S
仓库库存编号：
IRFBC40S-ND
别名：*IRFBC40S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPC40
仓库库存编号：
IRFPC40-ND
别名：*IRFPC40
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40L
仓库库存编号：
IRFBC40L-ND
别名：*IRFBC40L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRL
仓库库存编号：
IRFBC40STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40STRR
仓库库存编号：
IRFBC40STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 32A（Ta） 1.5W（Ta），93.75W（Tj） I-Pak
型号：
NTD32N06-001
仓库库存编号：
NTD32N06-001OS-ND
别名：NTD32N06-001OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 32A（Ta） 1.5W（Ta），93.75W（Tj） DPAK
型号：
NTD32N06T4G
仓库库存编号：
NTD32N06T4GOS-ND
别名：NTD32N06T4GOS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4410DY
仓库库存编号：
SI4410DYFSCT-ND
别名：SI4410DYCT
SI4410DYCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），94A（Tc） 80W（Tc） TO-251
型号：
FDU8896
仓库库存编号：
FDU8896-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 17A（Ta），35A（Tc） 80W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
FDU068AN03L
仓库库存编号：
FDU068AN03L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），35A（Tc） 80W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD068AN03L
仓库库存编号：
FDD068AN03L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12.5A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF13N50
仓库库存编号：
FQPF13N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 500V 12.5A（Tc） 56W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF13N50T
仓库库存编号：
FQPF13N50T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V,
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