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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 33A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 85W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF44N10
  仓库库存编号：FQAF44N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA44N10
  仓库库存编号：FQA44N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
  
  型号：FQH44N10
  仓库库存编号：FQH44N10-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 400W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV22N60P
  仓库库存编号：IXTV22N60P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220-SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 22A（Tc） 400W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV22N60PS
  仓库库存编号：IXTV22N60PS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 43.5A（Tc） 146W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP44N10F
  仓库库存编号：FQP44N10F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 13A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK4016(Q)
  仓库库存编号：2SK4016(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
  
  型号：RDN120N25FU6
  仓库库存编号：RDN120N25FU6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Ta），70A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI530
  仓库库存编号：785-1649-5-ND
  别名：785-1649-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44N,127
  仓库库存编号：IRFZ44N,127-ND
  别名：934055538127
  IRFZ44NP
  IRFZ44NP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06NGAKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06NGAKSA1-ND
  别名：IPP120N06N G
  IPP120N06N G-ND
  IPP120N06NGIN
  IPP120N06NGIN-ND
  IPP120N06NGX
  IPP120N06NGXK
  SP000204175
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB120N06N G
  仓库库存编号：IPB120N06NGINCT-ND
  别名：IPB120N06NG
  IPB120N06NGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Ta），20A（Tc） 2.1W（Ta），78W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BS7067N06LS3G
  仓库库存编号：BS7067N06LS3GINCT-ND
  别名：BS7067N06LS3GINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP15P10PLGHKSA1
  仓库库存编号：SPP15P10PLGHKSA1-ND
  别名：SP000212234
  SPP15P10PL G
  SPP15P10PL G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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