规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 92W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8445
仓库库存编号：
FDB8445CT-ND
别名：FDB8445CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PL H
仓库库存编号：
SPP15P10PL H-ND
别名：SP000683162
SPP15P10PLH
SPP15P10PLHXKSA1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 146W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP44N10
仓库库存编号：
FQP44N10FS-ND
别名：FQP44N10-ND
FQP44N10FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-247
型号：
STW36N55M5
仓库库存编号：
497-13285-5-ND
别名：497-13285-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
型号：
R8010ANX
仓库库存编号：
R8010ANX-ND
别名：R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E120ATTB
仓库库存编号：
RQ3E120ATTBCT-ND
别名：RQ3E120ATTBCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 43.5A（Tc） 3.75W（Ta），146W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB44N10TM
仓库库存编号：
FQB44N10TMCT-ND
别名：FQB44N10TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19502Q5B
仓库库存编号：
296-37194-1-ND
别名：296-37194-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
STB155N3H6
仓库库存编号：
497-11322-1-ND
别名：497-11322-1
497-11322-5
497-11322-5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 180W（Tc） TO-247
型号：
FQH44N10_F133
仓库库存编号：
FQH44N10_F133FS-ND
别名：FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH30N50Q3
仓库库存编号：
IXFH30N50Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 690W（Tc） TO-268
型号：
IXFT30N50Q3
仓库库存编号：
IXFT30N50Q3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4943CDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4943CDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4943CDY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4922BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4922BDY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4943CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4943CDY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），50A（Tc） 3.7W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6760A
仓库库存编号：
FDD6760ACT-ND
别名：FDD6760ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 107W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM40N10-30_GE3
仓库库存编号：
SQM40N10-30_GE3-ND
别名：SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2170H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2170H-EL-E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ22N60P
仓库库存编号：
IXTQ22N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 400V 11A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP340
仓库库存编号：
IRFP340-ND
别名：*IRFP340
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Ta） 96W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP30N06LE
仓库库存编号：
RFP30N06LE-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
详细描述：通孔 N 沟道 250V 12A（Ta） 40W（Tc） TO-220FN
型号：
RDN120N25
仓库库存编号：
RDN120N25-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
型号：
FDS7066ASN3
仓库库存编号：
FDS7066ASN3CT-ND
别名：FDS7066ASN3_NLCT
FDS7066ASN3_NLCT-ND
FDS7066ASN3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.7A（Ta） 3.2W（Ta），70W（Tc） TO-252
型号：
FDD2570
仓库库存编号：
FDD2570-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF44N10
仓库库存编号：
FQPF44N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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