规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6675BZ
仓库库存编号：
FDS6675BZCT-ND
别名：FDS6675BZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4922BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4922BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4922BDY-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7611DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7611DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7611DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150
仓库库存编号：
FDMS86150CT-ND
别名：FDMS86150CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
型号：
RFD16N06LESM9A
仓库库存编号：
RFD16N06LESM9ACT-ND
别名：RFD16N06LESM9ACT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD40NF10
仓库库存编号：
497-7969-1-ND
别名：497-7969-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 259W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD18502KCS
仓库库存编号：
296-34940-5-ND
别名：296-34940-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP340PBF
仓库库存编号：
IRFP340PBF-ND
别名：*IRFP340PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220
型号：
STP36N55M5
仓库库存编号：
497-13275-5-ND
别名：497-13275-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F-3
型号：
FCPF260N60E
仓库库存编号：
FCPF260N60E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
型号：
BUK766R0-60E,118
仓库库存编号：
1727-7256-1-ND
别名：1727-7256-1
568-9885-1
568-9885-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH11N60EF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH11N60EF-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 65A
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 100W（Tj） Power56
型号：
FDMS9409_F085
仓库库存编号：
FDMS9409_F085CT-ND
别名：FDMS9409_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC8554
仓库库存编号：
FDMC8554CT-ND
别名：FDMC8554CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
型号：
STD155N3H6
仓库库存编号：
497-11307-1-ND
别名：497-11307-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD19532Q5B
仓库库存编号：
296-37478-1-ND
别名：296-37478-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.7A
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SO
型号：
SQ4840EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4840EY-T1_GE3CT-ND
别名：SQ4840EY-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SIHH11N60E-T1-GE3
仓库库存编号：
SIHH11N60E-T1-GE3CT-ND
别名：SIHH11N60E-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） TO-220
型号：
FCP260N60E
仓库库存编号：
FCP260N60E-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），128A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
型号：
FDMS86150ET100
仓库库存编号：
FDMS86150ET100CT-ND
别名：FDMS86150ET100CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 22.5A（Tc） 2.8W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL36N55M5
仓库库存编号：
497-13601-1-ND
别名：497-13601-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
型号：
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-4698-1-ND
别名：1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB013NE2LXI
仓库库存编号：
BSB013NE2LXICT-ND
别名：BSB013NE2LXICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD15P10PLGBTMA1
仓库库存编号：
SPD15P10PLGBTMA1CT-ND
别名：SPD15P10PL GCT
SPD15P10PL GCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF10
仓库库存编号：
497-3188-5-ND
别名：497-3188-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
无铅
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