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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL110
  仓库库存编号：IRFL110-ND
  别名：*IRFL110
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL110TR
  仓库库存编号：IRFL110TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TR
  仓库库存编号：IRFR110TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU110
  仓库库存编号：IRFU110-ND
  别名：*IRFU110
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） TO-262-3
  
  型号：IRF510L
  仓库库存编号：IRF510L-ND
  别名：*IRF510L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF510STRL
  仓库库存编号：IRF510STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF510STRR
  仓库库存编号：IRF510STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TRL
  仓库库存编号：IRFR110TRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR110TRR
  仓库库存编号：IRFR110TRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1072X-T1-E3
  仓库库存编号：SI1072X-T1-E3CT-ND
  别名：SI1072X-T1-E3CT
  SI1072XT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 236mW（Ta） SC-89-6
  
  型号：SI1072X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1072X-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 33A（Tc） 26W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN012-25YLC,115
  仓库库存编号：568-8527-1-ND
  别名：568-8527-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.3nC @ 10V,
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