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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU2N50BTU
  仓库库存编号：FQU2N50BTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3P20TU
  仓库库存编号：FQI3P20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4A（Tc） 30W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD4N06LSM9A
  仓库库存编号：RFD4N06LSM9A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N50TM
  仓库库存编号：FQD2N50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.1A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB2N50TM
  仓库库存编号：FQB2N50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N50TF
  仓库库存编号：FQD2N50TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 1.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.3A（Tc） 20W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N50
  仓库库存编号：FQPF2N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 2.8A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3P20TM
  仓库库存编号：FQB3P20TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.1A（Tc） 55W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N50
  仓库库存编号：FQP2N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 670mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT3P20TF_SB82100
  仓库库存编号：FQT3P20TF_SB82100CT-ND
  别名：FQT3P20TF_SB82100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI1N60L
  仓库库存编号：785-1536-5-ND
  别名：AOI1N60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 8A TO251A
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8A（Ta），19A（Tc） 4.2W（Ta），21W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4102
  仓库库存编号：AOI4102-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 2.8A（Tc） 57W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD3N50_004
  仓库库存编号：AOD3N50_004-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL1006
  仓库库存编号：IRFL1006-ND
  别名：*IRFL1006
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL1006TR
  仓库库存编号：IRFL1006TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL1006PBF
  仓库库存编号：IRFL1006PBF-ND
  别名：*IRFL1006PBF
  SP001571088
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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