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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 670mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT3P20TF
仓库库存编号：
FQT3P20TFCT-ND
别名：FQT3P20TFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
型号：
SI4829DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4829DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4829DY-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 74W（Tc） TO-220
型号：
AOT3N50
仓库库存编号：
785-1174-5-ND
别名：785-1174-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
FDD3N50NZTM
仓库库存编号：
FDD3N50NZTMCT-ND
别名：FDD3N50NZTMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SIS990DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS990DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS990DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 60W（Tc） DPAK
型号：
STD6N60M2
仓库库存编号：
497-13939-1-ND
别名：497-13939-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD1N60
仓库库存编号：
785-1179-1-ND
别名：785-1179-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 5A SOT428
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3
型号：
RSD050N06TL
仓库库存编号：
RSD050N06TLCT-ND
别名：RSD050N06TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA446DJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA446DJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA446DJ-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Ta） 20W（Tc） TO-220FP
型号：
STF6N60M2
仓库库存编号：
497-13948-5-ND
别名：497-13948-5
STF6N60M2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 2.4W（Ta） PowerFlat?（2x2）
型号：
STL7N6F7
仓库库存编号：
497-16934-1-ND
别名：497-16934-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
DUAL N-CHANNEL 60 V 0.023 OHM TY
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 33A (Tc) 58W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
型号：
STL36DN6F7
仓库库存编号：
497-17308-1-ND
别名：497-17308-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 3W（Ta），60W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL8N6F7
仓库库存编号：
STL8N6F7-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251-3
型号：
AOU1N60
仓库库存编号：
AOU1N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 1.3A（Tc） 45W（Tc） TO-251A
型号：
AOI1N60
仓库库存编号：
AOI1N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
型号：
SI4829DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4829DY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 31W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF3N50
仓库库存编号：
AOTF3N50-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS698DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS698DN-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-252AA
型号：
IXTY01N80
仓库库存编号：
IXTY01N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Tc） 25W（Tc） TO-251
型号：
IXTU01N80
仓库库存编号：
IXTU01N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L
详细描述：通孔 N 沟道 500V 350mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92L
型号：
FQNL2N50BBU
仓库库存编号：
FQNL2N50BBU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 200V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） I-Pak
型号：
FQU3P20TU
仓库库存编号：
FQU3P20TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3P20TF
仓库库存编号：
FQD3P20TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3P20TM
仓库库存编号：
FQD3P20TM-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 200V 2.2A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF3P20
仓库库存编号：
FQPF3P20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8nC @ 10V,
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