以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM35N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM35N10CP ROGCT-ND
  别名：TSM35N10CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83.3W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM35N10CP ROG
  仓库库存编号：TSM35N10CP ROGDKR-ND
  别名：TSM35N10CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD5NK60ZT4
  仓库库存编号：497-5890-1-ND
  别名：497-5890-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 620V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N62ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N62ET1-GE3CT-ND
  别名：SIHD6N62ET1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7N52K3
  仓库库存编号：497-10016-1-ND
  别名：497-10016-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF18NM60ND
  仓库库存编号：497-13866-5-ND
  别名：497-13866-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 169W（Tc） TO-247
  
  型号：STW26N60M2
  仓库库存编号：STW26N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
  
  型号：STFW6N120K3
  仓库库存编号：497-12122-ND
  别名：497-12122
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8132,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8132LQ(S-ND
  别名：TPC8132LQ(S
  TPC8132LQS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C645NLAFT3G
  仓库库存编号：NVMFS5C645NLAFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  PT8+ TECHNOLOGY 30V DUAL N-CHANN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 46A 1.9W, 2.5W Surface Mount 8-MLP (3x3)
  
  型号：FDMC007N30D
  仓库库存编号：FDMC007N30D-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 44A（Ta） 48W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A102PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A102PZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 27A 8-DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 27A 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5.2x5.55)
  
  型号：AON6812
  仓库库存编号：785-1630-1-ND
  别名：785-1630-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C645NLAFT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C645NLAFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5C645NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5C645NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 25A 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5.2x5.55)
  
  型号：AON6810
  仓库库存编号：785-1629-1-ND
  别名：785-1629-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C645NLT3G
  仓库库存编号：NTMFS5C645NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta），100A（Tc） 3.7W（Ta），79W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5C645NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5C645NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 6A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N62E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N62E-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPC8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPC8062-HLQ(CM
  TPC8062HLQCM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPCA8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPCA8062-HLQ(CM
  TPCA8062HLQCM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 60W（Tc） LFPAK
  
  型号：RJK0455DPB-00#J5
  仓库库存编号：RJK0455DPB-00#J5TR-ND
  别名：RJK0455DPB-00#J5-ND
  RJK0455DPB-00#J5TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 25V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 3.7W（Ta），42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD6796A
  仓库库存编号：FDD6796ACT-ND
  别名：FDD6796ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z34STRRPBF
  仓库库存编号：IRF9Z34STRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Ta） 3W（Ta），50W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：NDUL03N150CG
  仓库库存编号：NDUL03N150CGOS-ND
  别名：NDUL03N150CGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 34nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索