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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL014TRPBF
仓库库存编号：
IRLL014PBFCT-ND
别名：*IRLL014TRPBF
IRLL014PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14PBF
仓库库存编号：
IRLZ14PBF-ND
别名：*IRLZ14PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014PBF
仓库库存编号：
IRLD014PBF-ND
别名：*IRLD014PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014PBF
仓库库存编号：
IRLU014PBF-ND
别名：*IRLU014PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014
仓库库存编号：
IRLR014-ND
别名：*IRLR014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRPBF
仓库库存编号：
IRLR014PBFCT-ND
别名：*IRLR014TRPBF
IRLR014PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
BUK9Y113-100E,115
仓库库存编号：
1727-1854-1-ND
别名：1727-1854-1
568-11545-1
568-11545-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14SPBF
仓库库存编号：
IRLZ14SPBF-ND
别名：IRLZ14SPBFCT
IRLZ14SPBFCT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ14GPBF
仓库库存编号：
IRLIZ14GPBF-ND
别名：*IRLIZ14GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR014TRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ14STRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRRPBF
仓库库存编号：
IRLZ14STRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
SP8M10TB
仓库库存编号：
SP8M10TBCT-ND
别名：SP8M10TBCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014
仓库库存编号：
IRLU014-ND
别名：*IRLU014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TR
仓库库存编号：
IRLR014TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRL
仓库库存编号：
IRLR014TRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 1.7A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRLD014
仓库库存编号：
IRLD014-ND
别名：*IRLD014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14
仓库库存编号：
IRLZ14-ND
别名：*IRLZ14
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL014
仓库库存编号：
IRLL014-ND
别名：*IRLL014
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
型号：
IRLL014TR
仓库库存编号：
IRLL014TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
型号：
IRLZ14L
仓库库存编号：
IRLZ14L-ND
别名：*IRLZ14L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14S
仓库库存编号：
IRLZ14S-ND
别名：*IRLZ14S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 8A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ14G
仓库库存编号：
IRLIZ14G-ND
别名：*IRLIZ14G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRR
仓库库存编号：
IRLR014TRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 8.4nC @ 5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRL
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IRLZ14STRL-ND
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