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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD105N04LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD105N04LGBTMA1TR-ND
  别名：IPD105N04L G
  IPD105N04L G-ND
  SP000354796
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD50R399CP
  仓库库存编号：IPD50R399CP-ND
  别名：SP000234984
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 30W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S3L-35
  仓库库存编号：IPG20N06S3L-35-ND
  别名：SP000396306
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R1K4CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU80R1K4CEBKMA1-ND
  别名：SP001100620
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
  
  型号：IPD80R1K4CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
  别名：IPD80R1K4CEBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.8A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K4CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K4CEXKSA1-ND
  别名：SP001271052
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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