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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9410BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9410BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 6.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4454
  仓库库存编号：AO4454-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 27A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），68A（Tc） 5.7W（Ta），35.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6532
  仓库库存编号：AON6532-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 24A/42A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 42A 5W, 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6970
  仓库库存编号：AON6970-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Ta） 29.5W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5035DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5035DPP-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 23A, 40A 5W, 4.1W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6971
  仓库库存编号：785-1631-1-ND
  别名：785-1631-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A070F
  仓库库存编号：GP1M006A070F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M008A060CG
  仓库库存编号：GP2M008A060CG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M008A060FG
  仓库库存编号：GP2M008A060FG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M008A060HG
  仓库库存编号：GP2M008A060HG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M008A060PG
  仓库库存编号：GP2M008A060PG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 700V 5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M006A070FH
  仓库库存编号：1560-1162-5-ND
  别名：1560-1162-1
  1560-1162-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M008A060FGH
  仓库库存编号：1560-1204-5-ND
  别名：1560-1204-1
  1560-1204-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M008A060PGH
  仓库库存编号：1560-1205-5-ND
  别名：1560-1205-1
  1560-1205-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 4.7A（Ta），42A（Tc） 1.92W（Ta），150W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT416L
  仓库库存编号：AOT416L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR2605
  仓库库存编号：IRFR2605-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NTR
  仓库库存编号：IRFR220NTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NTRL
  仓库库存编号：IRFR220NTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU220N
  仓库库存编号：IRFU220N-ND
  别名：*IRFU220N
  SP001568188
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NTRR
  仓库库存编号：IRFR220NTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 18A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4212PBF
  仓库库存编号：IRFB4212PBF-ND
  别名：SP001555992
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 5A（Ta） 43W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR220NCPBF
  仓库库存编号：IRFR220NCPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7380QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7380QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7380QTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS060N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS060N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS060N03L G
  IPS060N03LGIN
  IPS060N03LGIN-ND
  IPS060N03LGXK
  SP000705724
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU060N03L G
  仓库库存编号：IPU060N03LGIN-ND
  别名：IPU060N03LGIN
  IPU060N03LGXK
  SP000260749
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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