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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 14.4A（Tc） 3.75W（Ta），104W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB14N15TM
  仓库库存编号：FQB14N15TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3P50TF
  仓库库存编号：FQD3P50TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU3P50TU
  仓库库存编号：FQU3P50TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 1.9A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3P50
  仓库库存编号：FQPF3P50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 2.7A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD4P40TF
  仓库库存编号：FQD4P40TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500V 2.7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3P50TM
  仓库库存编号：FQB3P50TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 500V 2.7A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3P50TU
  仓库库存编号：FQI3P50TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 2.4A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 400V 2.4A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF4P40
  仓库库存编号：FQPF4P40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 400V 3.5A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI4P40TU
  仓库库存编号：FQI4P40TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 400V 3.5A（Tc） 3.13W（Ta），85W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB4P40TM
  仓库库存编号：FQB4P40TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：HUFA76413DK8T
  仓库库存编号：HUFA76413DK8TCT-ND
  别名：HUFA76413DK8TCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A（Tc） 60W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N100
  仓库库存编号：IXTT1N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 62A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD496
  仓库库存编号：785-1116-2-ND
  别名：785-1116-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 40.5W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8878
  仓库库存编号：FDP8878-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 48A（Tc） 47.3W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8878
  仓库库存编号：FDB8878-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK3309(Q)
  仓库库存编号：2SK3309(Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3309(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3309(TE24L,Q)-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta） 1.6W（Ta），45W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPCA8021-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCA8021-H(TE12LQM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK-3
  
  型号：NTD5865N-1G
  仓库库存编号：NTD5865N-1GOS-ND
  别名：NTD5865N-1G-ND
  NTD5865N-1GOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 43A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD5865NT4G
  仓库库存编号：NTD5865NT4GOSCT-ND
  别名：NTD5865NT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN035-100LS,115
  仓库库存编号：568-5585-1-ND
  别名：568-5585-1
  PSMN035100LS115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRFBC30ASTRRPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.2A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9410BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9410BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 40V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP15P04SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP15P04SLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 60V 15A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 15A（Ta） 1.2W（Ta），30W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
  
  型号：NP15P06SLG-E1-AY
  仓库库存编号：NP15P06SLG-E1-AY-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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