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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R600E6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R600E6AKMA1-ND
  别名：SP001273092
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 63W（Tc） Thin-Pak（8x8）
  
  型号：IPL65R660E6AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R660E6AUMA1-ND
  别名：SP000895212
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R600C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R600C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R600C6CT
  IPB65R600C6CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPA65R600C6
  IPA65R600C6-ND
  SP000850502
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPI65R600C6
  IPI65R600C6-ND
  SP000850504
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R600E6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R600E6XKSA1-ND
  别名：IPP65R600E6
  IPP65R600E6-ND
  SP000850500
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R600C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R600C6XKSA1-ND
  别名：IPP65R600C6
  IPP65R600C6-ND
  SP000661310
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP065N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP065N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP065N03L G
  IPP065N03LG
  IPP065N03LGIN
  IPP065N03LGIN-ND
  IPP065N03LGXK
  SP000254736
  SP000680818
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP50R399CPHKSA1
  仓库库存编号：IPP50R399CPHKSA1-ND
  别名：IPP50R399CP
  IPP50R399CP-ND
  SP000234985
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R399CPXKSA2
  仓库库存编号：IPI50R399CPXKSA2-ND
  别名：IPI50R399CP
  IPI50R399CP-ND
  SP001109552
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 4VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 12A（Tc） 75W（Tc） PG-VSON-4
  
  型号：IPL65R195C7AUMA1
  仓库库存编号：IPL65R195C7AUMA1-ND
  别名：SP001032726
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R190C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R190C7ATMA1-ND
  别名：SP000929424
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 9A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R399CPFKSA1
  仓库库存编号：IPW50R399CPFKSA1-ND
  别名：IPW50R399CP
  IPW50R399CP-ND
  SP000259980
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R190C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R190C7XKSA1-ND
  别名：SP001080142
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 4.5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFILED625
  仓库库存编号：497-13952-5-ND
  别名：497-13952-5
  STFILED625-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC30A
  仓库库存编号：IRFBC30A-ND
  别名：*IRFBC30A
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30AS
  仓库库存编号：IRFBC30AS-ND
  别名：*IRFBC30AS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBC30AL
  仓库库存编号：IRFBC30AL-ND
  别名：*IRFBC30AL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASTRL
  仓库库存编号：IRFBC30ASTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC30ASTRR
  仓库库存编号：IRFBC30ASTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9435DY
  仓库库存编号：SI9435DYCT-ND
  别名：SI9435DYCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 14.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 14.4A（Tc） 104W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP14N15
  仓库库存编号：FQP14N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 10A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD14N15TM
  仓库库存编号：FQD14N15TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9.8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 9.8A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF14N15
  仓库库存编号：FQPF14N15-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 2.5W（Ta），55W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD12N20TF
  仓库库存编号：FQD12N20TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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