规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASPBF
仓库库存编号：
IRFBC30ASPBF-ND
别名：*IRFBC30ASPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
型号：
MCQ4822-TP
仓库库存编号：
MCQ4822-TPMSCT-ND
别名：MCQ4822-TPMSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 103W（Tc） DPAK
型号：
STD10NF30
仓库库存编号：
STD10NF30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 68A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Ta），68A（Tc） 5.7W（Ta），35.5W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6524
仓库库存编号：
AON6524-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 19A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 37W（Tc） TO-252
型号：
DKI10526
仓库库存编号：
DKI10526CT-ND
别名：DKI10526CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
GKI10526
仓库库存编号：
GKI10526CT-ND
别名：GKI10526CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号：
SIA921EDJ-T4-GE3
仓库库存编号：
SIA921EDJ-T4-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4214DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4214DY-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4804CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4804CDY-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
FKI10531
仓库库存编号：
FKI10531-ND
别名：FKI10531 DK
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJ958EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ958EP-T1_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 14A 8ULTRASO
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），69A（Tc） 2.1W（Ta），68W（Tc） UltraSO-8?
型号：
AOL1242
仓库库存编号：
785-1389-1-ND
别名：785-1389-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF7N65
仓库库存编号：
AOTF7N65-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 192W（Tc） TO-220
型号：
AOT7N65
仓库库存编号：
AOT7N65-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），78A（Tc） 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLAFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），78A（Tc） 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），46A（Tc） 7.4W（Ta），78W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6298
仓库库存编号：
AON6298-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD3P50TM_F085
仓库库存编号：
FQD3P50TM_F085-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta）, 102A（Tc） 3.6W（Ta）, 68W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C450NAFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5C450NAFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6W（Ta）, 50W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C460NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C460NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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