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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S2L35ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S2L35ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N06S2L35ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 106W（Tc） PG-HSOF-8
  
  型号：IPT60R150G7XTMA1
  仓库库存编号：IPT60R150G7XTMA1CT-ND
  别名：IPT60R150G7XTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 400V 3.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 3.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP4P40
  仓库库存编号：FQP4P40FS-ND
  别名：FQP4P40-ND
  FQP4P40FS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：ZDX080N50
  仓库库存编号：ZDX080N50-ND
  别名：ZDX080N50CT
  ZDX080N50CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.3A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R600E6
  仓库库存编号：IPA65R600E6-ND
  别名：IPA65R600E6XKSA1
  SP000799140
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6009ENX
  仓库库存编号：R6009ENX-ND
  别名：R6009ENXCT
  R6009ENXCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFBC30APBF
  仓库库存编号：IRFBC30APBF-ND
  别名：*IRFBC30APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R190C7FKSA1
  仓库库存编号：IPP65R190C7FKSA1-ND
  别名：SP000929426
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA65R190C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R190C7XKSA1-ND
  别名：SP001080140
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 36V 20A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 4.2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4314
  仓库库存编号：785-1548-1-ND
  别名：785-1548-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10.1A（Tc） 28W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPAN65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001508828
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.7A（Ta），42A（Tc） 1.92W（Ta），150W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT416
  仓库库存编号：785-1239-5-ND
  别名：785-1239-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 800V 3.9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 3.9A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K4CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA80R1K4CEXKSA2-ND
  别名：SP001313390
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A LPT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） LPTS（D2PAK）
  
  型号：R6009ENJTL
  仓库库存编号：R6009ENJTLCT-ND
  别名：R6009ENJTLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 67W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN4R1-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-5304-1-ND
  别名：1727-5304-1
  568-6737-1
  568-6737-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 69W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN4R4-30MLC,115
  仓库库存编号：1727-7143-1-ND
  别名：1727-7143-1
  568-9576-1
  568-9576-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA50R399CPXKSA1
  仓库库存编号：IPA50R399CPXKSA1-ND
  别名：IPA50R399CP
  IPA50R399CP-ND
  SP000234987
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50R399CPXKSA1
  仓库库存编号：IPI50R399CPXKSA1-ND
  别名：SP000680738
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R190C7ATMA1
  仓库库存编号：IPD65R190C7ATMA1CT-ND
  别名：IPD65R190C7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4804CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4804CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4804CDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 32A DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta），70A（Tc） 6.2W（Ta）, 31W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6796
  仓库库存编号：785-1746-1-ND
  别名：785-1746-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta） 3W（Ta），27.4W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E240GNTB
  仓库库存编号：RS1E240GNTBCT-ND
  别名：RS1E240GNTBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Ta） 67W（Tc） TO-220
  
  型号：TK40E06N1,S1X
  仓库库存编号：TK40E06N1S1X-ND
  别名：TK40E06N1,S1X(S
  TK40E06N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK40A06N1,S4X
  仓库库存编号：TK40A06N1S4X-ND
  别名：TK40A06N1,S4X(S
  TK40A06N1,S4X-ND
  TK40A06N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 28W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA65R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA65R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001295804
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 23nC @ 10V,
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