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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF540STRL
仓库库存编号：
IRF540STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF540STRR
仓库库存编号：
IRF540STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI540G
仓库库存编号：
IRFI540G-ND
别名：*IRFI540G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） TO-262
型号：
IRF540L
仓库库存编号：
IRF540L-ND
别名：*IRF540L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 18A（Ta），116A（Tc） 110W（Tc） TO-251
型号：
FDU8874
仓库库存编号：
FDU8874-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），121A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8874
仓库库存编号：
FDB8874-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXTV26N60P
仓库库存编号：
IXTV26N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXTV26N60PS
仓库库存编号：
IXTV26N60PS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS220
型号：
IXFV26N60P
仓库库存编号：
IXFV26N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220-SMD
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 460W（Tc） PLUS-220SMD
型号：
IXFV26N60PS
仓库库存编号：
IXFV26N60PS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS8874
仓库库存编号：
FDS8874CT-ND
别名：FDS8874CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4728
仓库库存编号：
785-1316-1-ND
别名：785-1316-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 110A（Tc） 100W（Tc） TO-220
型号：
AOT424
仓库库存编号：
AOT424-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 21A TO262F
详细描述：通孔 N 沟道 40V 21A（Ta），83A（Tc） 2.1W（Ta），33.3W（Tc）
型号：
AOWF240
仓库库存编号：
AOWF240-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
详细描述：通孔 N 沟道 200V 40A（Ta） 60W（Tc） TO-3PFM
型号：
RJK2009DPM-00#T0
仓库库存编号：
RJK2009DPM-00#T0-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 16A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 16A（Tc） 290W（Tc） D3Pak
型号：
APT15F60S
仓库库存编号：
APT15F60S-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247
型号：
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号：
APT5014SLLG/TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 89W（Tc） TO-220F
型号：
GP2M009A090FG
仓库库存编号：
GP2M009A090FG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
详细描述：通孔 N 沟道 900V 9A（Tc） 312W（Tc） TO-3PN
型号：
GP2M009A090NG
仓库库存编号：
GP2M009A090NG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），80A（Tc） 2.1W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6718L_101
仓库库存编号：
AON6718L_101-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NS
仓库库存编号：
IRFZ46NS-ND
别名：*IRFZ46NS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ46NL
仓库库存编号：
IRFZ46NL-ND
别名：*IRFZ46NL
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号：
IRFZ46NSTRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7706
仓库库存编号：
IRF7706-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7A（Ta） 1.51W（Ta） 8-TSSOP
型号：
IRF7706TR
仓库库存编号：
IRF7706TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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