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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 89W（Tc） TO-220
型号：
TSM9N90ECZ C0G
仓库库存编号：
TSM9N90ECZ C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 89W（Tc） ITO-220
型号：
TSM9N90ECI C0G
仓库库存编号：
TSM9N90ECI C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA465EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA465EDJ-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 47A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 136W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM47N10-24L_GE3
仓库库存编号：
SQM47N10-24L_GE3-ND
别名：SQM47N10-24L-GE3
SQM47N10-24L-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP50N06-09L_GE3
仓库库存编号：
SQP50N06-09L_GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Ta） 1W（Ta），50W（Tc） TO-251（MP-3）
型号：
2SK3482-AZ
仓库库存编号：
2SK3482-AZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 40A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 357W（Tc） TO-247
型号：
AOK40N30L
仓库库存编号：
785-1447-5-ND
别名：785-1447-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH26N60P
仓库库存编号：
IXTH26N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ26N60P
仓库库存编号：
IXTQ26N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 290W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT15F60B
仓库库存编号：
APT15F60B-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXFT26N60P
仓库库存编号：
IXFT26N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：
IXTT26N60P
仓库库存编号：
IXTT26N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5016BLLG
仓库库存编号：
APT5016BLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 329W（Tc） TO-247 [B]
型号：
APT5016BFLLG
仓库库存编号：
APT5016BFLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） D3 [S]
型号：
APT5014SLLG
仓库库存编号：
APT5014SLLG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名：SP000936514
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名：SP001028678
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 17A（Ta） 2.5W（Ta），46W（Tc） DIRECTFET? M2
型号：
AUIRF7734M2TR
仓库库存编号：
AUIRF7734M2TR-ND
别名：SP001522286
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 39A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） TO-262
型号：
AUIRFZ46NL
仓库库存编号：
AUIRFZ46NL-ND
别名：SP001521774
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640
仓库库存编号：
497-2759-5-ND
别名：497-2759-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
IRF640FP
仓库库存编号：
IRF640FP-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
STB230NH03L
仓库库存编号：
497-7942-1-ND
别名：497-7942-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF32N65M5
仓库库存编号：
497-11396-5-ND
别名：497-11396-5
STF32N65M5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540
仓库库存编号：
IRF540IR-ND
别名：*IRF540
IRF540IR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF540S
仓库库存编号：
IRF540S-ND
别名：*IRF540S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
含铅
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