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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 1.6W(Ta),78W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2R306NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2R306NHL1QCT-ND
别名:TPH2R306NHL1QCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 110A H2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) H2PAK
型号:
STH110N10F7-2
仓库库存编号:
497-13549-1-ND
别名:497-13549-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 8.6A(Tc) 240W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA9N90_F109
仓库库存编号:
FQA9N90_F109-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
STB32N65M5
仓库库存编号:
497-10564-1-ND
别名:497-10564-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N08S2L21ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N08S2L21ATMA1CT-ND
别名:IPD30N08S2L-21CT
IPD30N08S2L-21CT-ND
IPD30N08S2L21ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Ta),85A(Tc) 1.9W(Ta),41W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF240L
仓库库存编号:
785-1384-5-ND
别名:785-1384-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta),114A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP8874
仓库库存编号:
FDP8874FS-ND
别名:FDP8874-ND
FDP8874FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH26N60P
仓库库存编号:
IXFH26N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 26A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM50H14FT3G
仓库库存编号:
APTM50H14FT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ46NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NLPBF-ND
别名:*IRFZ46NLPBF
SP001557896
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF110N10F7
仓库库存编号:
497-13946-5-ND
别名:497-13946-5
STF110N10F7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 379W(Tc) TO-247
型号:
R6035KNZ1C9
仓库库存编号:
R6035KNZ1C9-ND
别名:R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 60V 60A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 150W(Tj) Power56
型号:
FDWS5360L_F085
仓库库存编号:
FDWS5360L_F085CT-ND
别名:FDWS5360L_F085CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ46NSTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 107A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL110N10F7
仓库库存编号:
497-13877-1-ND
别名:497-13877-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 150A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 142W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH2R608NH,L1Q
仓库库存编号:
TPH2R608NHL1QCT-ND
别名:TPH2R608NHL1QCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18.5A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.5A(Ta),85A(Tc) 2.3W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6242
仓库库存编号:
785-1335-1-ND
别名:785-1335-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA449DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA449DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA449DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),105A(Tc) 1.9W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB240L
仓库库存编号:
785-1324-1-ND
别名:785-1324-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 403W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT5014BLLG
仓库库存编号:
APT5014BLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK90Z
仓库库存编号:
497-2785-5-ND
别名:497-2785-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 150W(Tc) H2PAK
型号:
STH110N10F7-6
仓库库存编号:
497-13837-1-ND
别名:497-13837-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 160W(Tc) TO-247-3
型号:
STW9NK90Z
仓库库存编号:
497-2784-5-ND
别名:497-2784-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9NK90Z
仓库库存编号:
STF9NK90Z-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK90Z
仓库库存编号:
497-7955-1-ND
别名:497-7955-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 72nC @ 10V,
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