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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
型号：
SIA445EDJ-T1-GE3
仓库库存编号：
SIA445EDJ-T1-GE3CT-ND
别名：SIA445EDJ-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7190DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7190DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7190DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7178DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7178DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7178DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7174DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7174DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7174DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540PBF
仓库库存编号：
IRF540PBF-ND
别名：*IRF540PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC011N03LS
仓库库存编号：
BSC011N03LSCT-ND
别名：BSC011N03LSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC040N10NS5ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 105A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），176W（Tc） TO-220
型号：
AOT240L
仓库库存编号：
785-1270-5-ND
别名：785-1270-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
STP10NK80Z
仓库库存编号：
497-7498-5-ND
别名：497-7498-5
STP10NK80Z-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STP10NK80ZFP
仓库库存编号：
497-5972-5-ND
别名：497-5972-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP140PBF
仓库库存编号：
IRFP140PBF-ND
别名：*IRFP140PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 9A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW10NK80Z
仓库库存编号：
497-3254-5-ND
别名：497-3254-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），116A（Tc） 110W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8874
仓库库存编号：
FDD8874CT-ND
别名：FDD8874CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
IRF540STRLPBF
仓库库存编号：
IRF540STRLPBFCT-ND
别名：IRF540STRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ46NPBF
仓库库存编号：
IRFZ46NPBF-ND
别名：*IRFZ46NPBF
SP001571842
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI540GPBF
仓库库存编号：
IRFI540GPBF-ND
别名：*IRFI540GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD50N06-09L_GE3
仓库库存编号：
SQD50N06-09L_GE3CT-ND
别名：SQD50N06-09L_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） I2PAK
型号：
STI32N65M5
仓库库存编号：
497-11331-5-ND
别名：497-11331-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP32N65M5
仓库库存编号：
497-10079-5-ND
别名：497-10079-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW32N65M5
仓库库存编号：
497-10999-5-ND
别名：497-10999-5
STW32N65M5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
型号：
R6035KNZC8
仓库库存编号：
R6035KNZC8-ND
别名：R6035KNZC8TR
R6035KNZC8TR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6752
仓库库存编号：
785-1498-1-ND
别名：785-1498-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 150W（Tc） Power56
型号：
FDMS5360L_F085
仓库库存编号：
FDMS5360L_F085CT-ND
别名：FDMS5360L_F085CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR846DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR846DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR846DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 72nC @ 10V,
无铅
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