以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 25A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD25N15-52-T4-E3
  仓库库存编号：SUD25N15-52-T4-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 15A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK15A50D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK15A50D(STA4QM)-ND
  别名：TK15A50D(STA4QM)
  TK15A50DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 30A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SQD40N06-25L-GE3
  仓库库存编号：SQD40N06-25L-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16A60W,S4X
  仓库库存编号：TK16A60WS4X-ND
  别名：TK16A60WS4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DI9405T
  仓库库存编号：DI9405CT-ND
  别名：DI9405
  DI9405CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA10N80P
  仓库库存编号：IXFA10N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Ta） 50W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK14A55D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK14A55D(STA4QM)-ND
  别名：TK14A55D(STA4QM)
  TK14A55DSTA4QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 13.7A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK14C65W5,S1Q
  仓库库存编号：TK14C65W5S1Q-ND
  别名：TK14C65W5,S1Q(S
  TK14C65W5,S1Q(S2
  TK14C65W5,S1Q-ND
  TK14C65W5S1Q
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 37A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 417W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB42S60L
  仓库库存编号：AOB42S60L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ10N80P
  仓库库存编号：IXFQ10N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N100
  仓库库存编号：IXTP2N100-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N80P
  仓库库存编号：IXFH10N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP10N80P
  仓库库存编号：IXFP10N80P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 62W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC90N04S5L3R3ATMA1
  仓库库存编号：IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
  别名：SP001418122
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS5615TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS5615TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS5615TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL5615PBF
  仓库库存编号：IRFSL5615PBF-ND
  别名：SP001567730
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NB20
  仓库库存编号：497-2650-5-ND
  别名：497-2650-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI15NM60ND
  仓库库存编号：STI15NM60ND-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7513-75B,127
  仓库库存编号：568-5719-5-ND
  别名：568-5719
  568-5719-5
  568-5719-ND
  934057746127
  BUK7513-75B
  BUK7513-75B,127-ND
  BUK7513-75B-ND
  BUK751375B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：BSP030,115
  仓库库存编号：568-6218-1-ND
  别名：568-6218-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 25A（Tc） 50W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP603AL
  仓库库存编号：NDP603AL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9405
  仓库库存编号：NDS9405CT-ND
  别名：NDS9405CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB603AL
  仓库库存编号：NDB603ALCT-ND
  别名：NDB603ALCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL630
  仓库库存编号：IRL630-ND
  别名：*IRL630
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630S
  仓库库存编号：IRL630S-ND
  别名：*IRL630S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
• 
  
  含铅
• 搜索