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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 17A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 17A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK4013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK4013DPE-00#J3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 14A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 14A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJK5013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJK5013DPE-00#J3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 14A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Ta） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK5013DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK5013DPP-E0#T2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6013DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6013DPE-00#J3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
  
  型号：TK16V60W,LVQ
  仓库库存编号：TK16V60WLVQCT-ND
  别名：TK16V60WLVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR482DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR482DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS448DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS448DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 9.4A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9P25TM
  仓库库存编号：FQB9P25TMCT-ND
  别名：FQB9P25TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP2M007A080F
  仓库库存编号：1560-1203-5-ND
  别名：1560-1203-1
  1560-1203-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD425_001
  仓库库存编号：AOD425_001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：94-3449
  仓库库存编号：94-3449-ND
  别名：*IRF7342
  IRF7342
  IRF7342-ND
  SP001517810
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Ta） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI9530N
  仓库库存编号：IRFI9530N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DTRL
  仓库库存编号：IRFR13N20DTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DTR
  仓库库存编号：IRFR13N20DTR-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DTRR
  仓库库存编号：IRFR13N20DTRR-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7453
  仓库库存编号：IRF7453-ND
  别名：*IRF7453
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7453TR
  仓库库存编号：IRF7453TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 2.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7453TRPBF
  仓库库存编号：IRF7453PBFCT-ND
  别名：*IRF7453TRPBF
  IRF7453PBFCT
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14A（Tc） 125W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD14NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD14NQ20T,118-ND
  别名：934057072118
  PHD14NQ20T /T3
  PHD14NQ20T /T3-ND
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHP14NQ20T,127-ND
  别名：934055683127
  PHP14NQ20T
  PHP14NQ20T-ND
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 7.6A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7.6A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHX14NQ20T,127-ND
  别名：934055773127
  PHX14NQ20T
  PHX14NQ20T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DCPBF
  仓库库存编号：IRFR13N20DCPBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DCTRRP
  仓库库存编号：IRFR13N20DCTRRP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR13N20DCTRLP
  仓库库存编号：IRFR13N20DCTRLP-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7342QTRPBF
  仓库库存编号：IRF7342QTRPBFCT-ND
  别名：IRF7342QTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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