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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830STRL
  仓库库存编号：IRF830STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF830STRR
  仓库库存编号：IRF830STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF840AL
  仓库库存编号：IRF840AL-ND
  别名：*IRF840AL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRL
  仓库库存编号：IRF840ASTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRR
  仓库库存编号：IRF840ASTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF9530L
  仓库库存编号：IRF9530L-ND
  别名：*IRF9530L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9530STRR
  仓库库存编号：IRF9530STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） I2PAK
  
  型号：IRFBE20L
  仓库库存编号：IRFBE20L-ND
  别名：*IRFBE20L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE20S
  仓库库存编号：IRFBE20S-ND
  别名：*IRFBE20S
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE20STRL
  仓库库存编号：IRFBE20STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.8A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBE20STRR
  仓库库存编号：IRFBE20STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRL
  仓库库存编号：IRFBF20STRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRR
  仓库库存编号：IRFBF20STRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 1.4A（Ta） I2PAK
  
  型号：IRFBG20L
  仓库库存编号：IRFBG20L-ND
  别名：*IRFBG20L
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC730PBF
  仓库库存编号：IRC730PBF-ND
  别名：*IRC730PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220-5
  
  型号：IRC830PBF
  仓库库存编号：IRC830PBF-ND
  别名：*IRC830PBF
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Ta） 93W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP2670
  仓库库存编号：FDP2670-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 19A（Ta） 93W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2670
  仓库库存编号：FDB2670-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 120V 15A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI15P12TU
  仓库库存编号：FQI15P12TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 120V 15A（Tc） 3.75W（Ta），100W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB15P12TM
  仓库库存编号：FQB15P12TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 7.1A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 7.1A（Tc） 70W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF9P25
  仓库库存编号：FQAF9P25-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.4A（Tc） 142W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N60
  仓库库存编号：FQP7N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.7A（Tc） 152W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA7N60
  仓库库存编号：FQA7N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 49A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7526-100B,127
  仓库库存编号：568-5720-5-ND
  别名：568-5720
  568-5720-5
  568-5720-ND
  934057747127
  BUK7526-100B
  BUK7526-100B,127-ND
  BUK7526-100B-ND
  BUK7526100B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Tc） 3.1W（Ta），5.4W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4322DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4322DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4322DY-T1-E3CT
  SI4322DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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