规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW16NM50N
仓库库存编号：
497-7620-5-ND
别名：497-7620-5
STW16NM50N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 15A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB16NM50N
仓库库存编号：
497-7938-1-ND
别名：497-7938-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 69W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN3R8-30LL,115
仓库库存编号：
568-5592-1-ND
别名：568-5592-1
PSMN3R830LL115
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730
仓库库存编号：
IRF730IR-ND
别名：*IRF730
IRF730IR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830
仓库库存编号：
IRF830IR-ND
别名：*IRF830
IRF830IR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 12A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9530
仓库库存编号：
IRF9530-ND
别名：*IRF9530
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE20
仓库库存编号：
IRFBE20-ND
别名：*IRFBE20
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF20
仓库库存编号：
IRFBF20-ND
别名：*IRFBF20
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG20
仓库库存编号：
IRFBG20-ND
别名：*IRFBG20
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730S
仓库库存编号：
IRF730S-ND
别名：*IRF730S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF830S
仓库库存编号：
IRF830S-ND
别名：*IRF830S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840A
仓库库存编号：
IRF840A-ND
别名：*IRF840A
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
型号：
IRF840AS
仓库库存编号：
IRF840AS-ND
别名：*IRF840AS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530S
仓库库存编号：
IRF9530S-ND
别名：*IRF9530S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530STRL
仓库库存编号：
IRF9530STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20S
仓库库存编号：
IRFBF20S-ND
别名：*IRFBF20S
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI730G
仓库库存编号：
IRFI730G-ND
别名：*IRFI730G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9530G
仓库库存编号：
IRFI9530G-ND
别名：*IRFI9530G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBE20G
仓库库存编号：
IRFIBE20G-ND
别名：*IRFIBE20G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF20G
仓库库存编号：
IRFIBF20G-ND
别名：*IRFIBF20G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF20L
仓库库存编号：
IRFBF20L-ND
别名：*IRFBF20L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 250V 4.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9634G
仓库库存编号：
IRFI9634G-ND
别名：*IRFI9634G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRL
仓库库存编号：
IRF730STRL-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRR
仓库库存编号：
IRF730STRR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
型号：
IRF830L
仓库库存编号：
IRF830L-ND
别名：*IRF830L
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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