规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Tc） 5.2W（Ta），25W（Tc） 10-PolarPAK?（U）
型号：
SIE864DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE864DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE864DF-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 80V 10.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10.5A（Ta），46A（Tc） 2.1W（Ta），93.5W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB288L
仓库库存编号：
AOB288L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） TO-262-3
型号：
IRF830LPBF
仓库库存编号：
IRF830LPBF-ND
别名：*IRF830LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK(3F)
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Ta） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK2075DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK2075DPA-00#J5A-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A60D(STA4QM)-ND
别名：TK12A60D(STA4QM)
TK12A60DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRLPBF
仓库库存编号：
IRF730STRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730STRRPBF
仓库库存编号：
IRF730STRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V W-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK1555DPA-00#J0
仓库库存编号：
RJK1555DPA-00#J0TR-ND
别名：RJK1555DPA-00#J0-ND
RJK1555DPA-00#J0TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 20A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220 隔离的标片
型号：
2SJ649-AZ
仓库库存编号：
2SJ649-AZ-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP32N20T
仓库库存编号：
IXTP32N20T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32N20T
仓库库存编号：
IXTA32N20T-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12.5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A55DA(STA4,QM)
仓库库存编号：
TK13A55DA(STA4QM)-ND
别名：TK13A55DA(STA4QM)
TK13A55DASTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK13A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK13A50D(STA4QM)-ND
别名：TK13A50D(STA4QM)
TK13A50DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830G
仓库库存编号：
IRFI830G-ND
别名：*IRFI830G
Q932707
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254715
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP042N03LGHKSA1
仓库库存编号：
IPP042N03LGHKSA1-ND
别名：SP000256161
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名：IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRFR4620TRL
仓库库存编号：
AUIRFR4620TRL-ND
别名：SP001516660
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 14A（Tc） 175W（Tc） TO-247-3
型号：
STW14NM50
仓库库存编号：
497-3259-5-ND
别名：497-3259-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30N20
仓库库存编号：
497-5129-5-ND
别名：497-5129-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30N20
仓库库存编号：
497-5168-5-ND
别名：497-5168-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 30A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW30NF20
仓库库存编号：
497-5989-5-ND
别名：497-5989-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STF16NM50N
仓库库存编号：
497-7470-5-ND
别名：497-7470-5
STF16NM50N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI16NM50N
仓库库存编号：
STI16NM50N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 500V 15A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP16NM50N
仓库库存编号：
497-7510-5-ND
别名：497-7510-5
STP16NM50N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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